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NXP Semiconductors 
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PSMN7R6-60PS,127的详细信息
| Manufacturer： | NXP |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 92 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 7.8 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 4.6 V |
| Qg - Gate Charge： | 38.7 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation： | 149 W |
| Mounting Style： | Through Hole |
| Package / Case： | TO-220-3 |
| Packaging： | Tube |
| Brand： | NXP Semiconductors |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 13 ns |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 21 ns |
| Factory Pack Quantity： | 50 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 37 ns |
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- Leaflet: High performance Trench 6 MOSFETs in a TO220 (v.1.1)
- SPICE model: PSMN7R6-60PS Spice model (v.1.0)
- Application note: Understanding Power MOSFET Datasheet Parameters (v.1.0)
- PCN: Customer Information Notification
- PCN: Final Product Change Notification
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