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NXP Semiconductors 
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PSMN7R0-100PS,127的详细信息
| Manufacturer： | NXP |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 100 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 12 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 4.6 V |
| Qg - Gate Charge： | 125 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation： | 269 W |
| Mounting Style： | Through Hole |
| Package / Case： | TO-220-3 |
| Packaging： | Tube |
| Brand： | NXP Semiconductors |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 49.5 ns |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 45.6 ns |
| Factory Pack Quantity： | 50 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 103.9 ns |
PSMN7R0-100PS,127相关文档
- Selection guide: NXP's Power MOSFET Selection Guide 2012; Smaller, faster, cooler (v.2.1)
- Application note: Understanding Power MOSFET Datasheet Parameters (v.1.0)
- SPICE model: PSMN7R0-100PS Spice model (v.1.0)
- Thermal model: PSMN7R0-100PS Thermal model (v.1.0)
- Leaflet: High performance Trench 6 MOSFETs in a TO220 (v.1.1)
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