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NXP Semiconductors 
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PMBFJ112,215的详细信息
| Manufacturer： | NXP |
|---|---|
| Product Category： | Transistors RF JFET |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | NXP Semiconductors |
| Type： | Silicon |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | - 40 V |
| Pd - Power Dissipation： | 300 mW |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOT-23 |
| Packaging： | Reel |
| Configuration： | Single |
| Drain-Source Current at Vgs=0： | 5 mA |
| Gate-Source Cutoff Voltage： | - 5 V to - 1 V |
| Product： | RF JFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 50 Ohms |
| Factory Pack Quantity： | 3000 |
| Part # Aliases： | PMBFJ112 T/R |
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