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ON Semiconductor 
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NTLJD3119CTBG的详细信息
| Manufacturer： | ON Semiconductor |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | ON Semiconductor |
| Transistor Polarity： | N and P-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 21 V, - 20 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 8 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 3.8 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 100 mOhms |
| Configuration： | Complementary |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 710 mW |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | 506AN-6 |
| Packaging： | Reel |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 4.7 ns, 13.2 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 4.2 S, 3.1 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 4.7 ns, 13.2 ns |
| Series： | NTLJD3119C |
| Factory Pack Quantity： | 3000 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 11.1 ns, 13.7 ns |
NTLJD3119CTBG相关文档
- Application Note: WDFN-6 2x2 µCool™ 506AN Dual MOSFET Board Level Notes
- Simulation Model: Spice3 Model
- Package Drawing: WDFN6, 2x2, 0.65P
- Simulation Model: PSpice Model
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