ON Semiconductor 
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NTJD5121NT2G的详细信息
| Manufacturer： | ON Semiconductor |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 295 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 1.6 Ohms |
| Configuration： | Dual |
| Qg - Gate Charge： | 0.9 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 250 mW |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOT-363-6 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | ON Semiconductor |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 32 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 80 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 34 ns |
| Series： | NTJD5121N |
| Factory Pack Quantity： | 3000 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 34 ns |
NTJD5121NT2G相关文档
- PCN: Sourcing MOSFET Die from United Microelectronics Corporation
- Simulation Model: PSpice Model
- Package Drawing: SC−88/SC70−6/SOT−363 6 LEAD
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