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NTF3055-100T3G的详细信息
| Manufacturer： | ON Semiconductor |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | ON Semiconductor |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 3 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 88 mOhms |
| Configuration： | Single Dual Drain |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 3 V |
| Qg - Gate Charge： | 10.6 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation： | 2.1 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOT-223-3 |
| Packaging： | Reel |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Ciss - Input Capacitance： | 324 pF |
| Fall Time： | 13 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 3.2 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 14 ns |
| Series： | NTF3055-100 |
| Factory Pack Quantity： | 4000 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 21 ns |
NTF3055-100T3G相关文档
- Package Drawing: SOT-223 (TO-261) 4 LEAD
- Simulation Model: SP2 Model For NTF3055-100
- Simulation Model: SIN Model For NTF3055-100
- Simulation Model: SP3 Model For NTF3055-100
- Simulation Model: LIB Model For NTF3055-100
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