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| 型号： | KSD2012GTU |
| 厂商： |
 Fairchild Semiconductor |
| 标准： |   |
| 分类： | 半导体 ， 分离式半导体 |
| 描述： | transistors bipolar - bjt npn Si transistor epitaxial |
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KSD2012GTU的详细信息
| Manufacturer： | Fairchild Semiconductor |
|---|---|
| Product Category： | Transistors Bipolar - BJT |
| RoHS： | Yes |
| Configuration： | Single |
| Transistor Polarity： | NPN |
| Collector- Base Voltage VCBO： | 60 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max： | 60 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO： | 7 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage： | 0.4 V |
| Maximum DC Collector Current： | 3 A |
| Gain Bandwidth Product fT： | 3 MHz |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Mounting Style： | Through Hole |
| Package / Case： | TO-220 |
| Brand： | Fairchild Semiconductor |
| Continuous Collector Current： | 3 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min： | 100 |
| DC Current Gain hFE Max： | 320 |
| Maximum Power Dissipation： | 25 W |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Packaging： | Tube |
| Series： | KSD2012 |
| Factory Pack Quantity： | 50 |
| Unit Weight： | 2.270 g |
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