Vishay Siliconix Datasheet下载地址
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IRFBE20的详细信息
| Manufacturer： | Vishay |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | No RoHS Version Available |
| Brand： | Vishay / Siliconix |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 800 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 1.8 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 6.5 Ohms |
| Configuration： | Single |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 54 W |
| Mounting Style： | Through Hole |
| Package / Case： | TO-220-3 |
| Packaging： | Tube |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 27 ns |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 17 ns |
| Series： | IRF/SIHFBE20 |
| Factory Pack Quantity： | 50 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 58 ns |
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