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Infineon Technologies 
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IPP600N25N3 G的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 250 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 25 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 60 mOhms |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 3 V |
| Qg - Gate Charge： | 22 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation： | 136 W |
| Mounting Style： | Through Hole |
| Package / Case： | TO-220-3 |
| Packaging： | Tube |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Fall Time： | 8 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 47 S, 24 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 10 ns |
| Series： | IPP600N25 |
| Factory Pack Quantity： | 500 |
| Tradename： | OptiMOS |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 22 ns |
| Part # Aliases： | IPP600N25N3GXKSA1 SP000677832 |
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