 |
Infineon Technologies 
Datasheet下载地址
| 厂商下载 >> |
IPP17N25S3100AKSA1的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 250 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 17 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 100 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 3 V |
| Qg - Gate Charge： | 14 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation： | 107 W |
| Mounting Style： | Through Hole |
| Package / Case： | TO-220-3 |
| Packaging： | Tube |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 1.2 ns |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 3.7 ns |
| Series： | IPP17N25 |
| Factory Pack Quantity： | 500 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 7.5 ns |
| Part # Aliases： | SP001025116 |
扫码手机查看更方便
同类器件
