Infineon Technologies 
IPI60R250CPAKSA1的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 12 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 0.25 Ohms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 3 V |
| Qg - Gate Charge： | 26 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 104 W |
| Mounting Style： | Through Hole |
| Package / Case： | TO-262-3 |
| Packaging： | Tube |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Fall Time： | 12 ns |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 17 ns |
| Series： | XPI60R250 |
| Factory Pack Quantity： | 500 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 110 ns |
| Part # Aliases： | SP000358141 |
扫码手机查看更方便
同类器件
