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Infineon Technologies 
IPD100N04S4-02的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 100 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 1.7 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 3 V |
| Qg - Gate Charge： | 91 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation： | 150 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | DPAK-2 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 24 ns |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 12 ns |
| Series： | IPD100N04 |
| Factory Pack Quantity： | 2500 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 26 ns |
| Part # Aliases： | IPD100N04S402ATMA1 SP000646184 |
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