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Infineon Technologies 
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IPB180P04P4L-02的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | P-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | - 40 V |
| Id - Continuous Drain Current： | - 180 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 2.4 mOhms |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | - 2.2 V |
| Qg - Gate Charge： | 286 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation： | 150 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | D2PAK-6 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Fall Time： | 119 ns |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 28 ns |
| Series： | IPB180P04 |
| Factory Pack Quantity： | 1000 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 146 ns |
| Part # Aliases： | IPB180P04P4L02ATMA1 SP000709460 |
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