 |
Fairchild Semiconductor 
Datasheet下载地址
| 本地下载 >> 厂商下载2 >> 第三方平台下载 >> |
HUF76609D3ST的详细信息
| Manufacturer： | Fairchild Semiconductor |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 16 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 10 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 130 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 3 V |
| Qg - Gate Charge： | 16 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation： | 49 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | DPAK-2 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | Fairchild Semiconductor |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 28 ns |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 41 ns |
| Series： | HUF76609 |
| Factory Pack Quantity： | 2500 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 30 ns |
| Part # Aliases： | HUF76609D3ST_NL |
| Unit Weight： | 260.370 mg |
HUF76609D3ST相关文档
扫码手机查看更方便
同类器件
