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HN4A51JTE85LF的详细信息
| Manufacturer： | Toshiba |
|---|---|
| Product Category： | Transistors Bipolar - BJT |
| RoHS： | Yes |
| Configuration： | Dual |
| Transistor Polarity： | PNP |
| Collector- Base Voltage VCBO： | - 120 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max： | - 120 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO： | - 5 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage： | - 0.3 V |
| Maximum DC Collector Current： | - 100 mA |
| Gain Bandwidth Product fT： | 100 MHz |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOT-25 |
| Brand： | Toshiba |
| Continuous Collector Current： | - 100 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min： | 200 |
| DC Current Gain hFE Max： | 700 |
| Maximum Power Dissipation： | 300 mW |
| Packaging： | Reel |
| Factory Pack Quantity： | 8000 |
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