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HN1C01FUGRLFT的详细信息
| Manufacturer： | Toshiba |
|---|---|
| Product Category： | Transistors Bipolar - BJT |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | Toshiba |
| Configuration： | Dual |
| Transistor Polarity： | NPN |
| Collector- Base Voltage VCBO： | 60 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max： | 50 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO： | 5 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage： | 0.1 V |
| Maximum DC Collector Current： | 150 mA |
| Gain Bandwidth Product fT： | 80 MHz |
| Maximum Operating Temperature： | + 125 C |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | US-6 (SOT363-3) |
| DC Collector/Base Gain hfe Min： | 120 |
| DC Current Gain hFE Max： | 400 |
| Maximum Power Dissipation： | 200 mW |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Packaging： | Reel |
| Factory Pack Quantity： | 3000 |
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