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FZ800R17KF6C_B2的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | IGBT Modules |
| Product： | IGBT Silicon Modules |
| Configuration： | Dual Common Emitter Common Gate |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max： | 1700 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage： | 2.6 V |
| Continuous Collector Current at 25 C： | 1300 A |
| Gate-Emitter Leakage Current： | 400 nA |
| Power Dissipation： | 6.6 kW |
| Maximum Operating Temperature： | + 125 C |
| Package / Case： | IHM |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Maximum Gate Emitter Voltage： | +/- 20 V |
| Minimum Operating Temperature： | - 40 C |
| Mounting Style： | Screw |
| Factory Pack Quantity： | 2 |
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