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Infineon Technologies 
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FS50R06W1E3_B11的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | IGBT Modules |
| RoHS： | Yes |
| Product： | IGBT Silicon Modules |
| Configuration： | IGBT-Inverter |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max： | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage： | 1.45 V |
| Continuous Collector Current at 25 C： | 70 A |
| Gate-Emitter Leakage Current： | 400 nA |
| Power Dissipation： | 205 W |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Package / Case： | Module |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Maximum Gate Emitter Voltage： | +/- 20 V |
| Minimum Operating Temperature： | - 40 C |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Factory Pack Quantity： | 24 |
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