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Texas Instruments 
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CSD85312Q3E的详细信息
| Manufacturer： | Texas Instruments |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | - 8 V, + 10 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 39 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 11.7 mOhms |
| Configuration： | Dual Common Source |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 1.1 V |
| Qg - Gate Charge： | 11.7 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 2.5 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | VSON-8 FET |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | Texas Instruments |
| Fall Time： | 6 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 99 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 27 ns |
| Series： | CSD85312Q3E |
| Factory Pack Quantity： | 2500 |
| Tradename： | NexFET |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 24 ns |
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- Function Diagram: alt_slps457
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