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Texas Instruments 
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CSD18502KCS的详细信息
| Manufacturer： | Texas Instruments |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 40 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 100 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 3.3 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 2.1 V |
| Qg - Gate Charge： | 52 nC |
| Pd - Power Dissipation： | 216 W |
| Mounting Style： | Through Hole |
| Package / Case： | TO-220-3 |
| Packaging： | Tube |
| Brand： | Texas Instruments |
| Fall Time： | 9.3 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 149 S |
| Rise Time： | 7.3 ns |
| Series： | CSD18502KCS |
| Factory Pack Quantity： | 50 |
| Tradename： | NexFET |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 33 ns |
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