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Texas Instruments 
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CSD16340Q3的详细信息
| Manufacturer： | Texas Instruments |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | Texas Instruments |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 25 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 60 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 4.3 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 0.85 V |
| Qg - Gate Charge： | 6.5 nC |
| Pd - Power Dissipation： | 3 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | VSON-8 Clip |
| Packaging： | Reel |
| Fall Time： | 5.2 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 121 S |
| Rise Time： | 16.1 ns |
| Series： | CSD16340Q3 |
| Factory Pack Quantity： | 2500 |
| Tradename： | NexFET |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 13.8 ns |
CSD16340Q3相关文档
- Evaluation Kits: Boost Converter (2.5V to 3.6V to 4.1V@2.4A)
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- PCN: Qualification of Reduced Wire Bond diameter for the Family of Discrete Clip & Power Block Devices
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