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NXP Semiconductors 
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BUK953R5-60E,127的详细信息
| Manufacturer： | NXP |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 15 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 120 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 2.87 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 1.7 V |
| Qg - Gate Charge： | 95 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation： | 293 W |
| Mounting Style： | Through Hole |
| Package / Case： | TO-220AB-3 |
| Packaging： | Tube |
| Brand： | NXP Semiconductors |
| Ciss - Input Capacitance： | 10115 pF |
| Fall Time： | 109 ns |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 100 ns |
| Factory Pack Quantity： | 1000 |
| Technology Type： | TrenchMOS |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 158 ns |
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