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BUK763R9-60E,118的详细信息
| Manufacturer： | NXP |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 100 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 8.5 mOhms |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 4.5 V |
| Qg - Gate Charge： | 103 nC |
| Pd - Power Dissipation： | 263 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | D2PAK-2 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | NXP Semiconductors |
| Fall Time： | 45 ns |
| Rise Time： | 41.4 ns |
| Factory Pack Quantity： | 800 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 62.7 ns |
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- Thermal model: BUK763R9-60E Thermal model (v.1.0)
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- Selection guide: NXP's Power MOSFET Selection Guide 2012; Smaller, faster, cooler (v.2.1)
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