 |
| 型号： | BSC190N15NS3 G |
| 厂商： |
 Infineon Technologies |
| 标准： |   |
| 分类： | 半导体 ， 分离式半导体 |
| 描述： | mosfet optimos2 pwr transistor N-CH |
| 报错 收藏 赞 | |
Datasheet下载地址
| 本地下载 >> 厂商下载2 >> 第三方平台下载 >> |
BSC190N15NS3 G的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 150 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 50 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 19 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 3 V |
| Qg - Gate Charge： | 23 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 125 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | TDSON-8 |
| Packaging： | Reel |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 6 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 57 S, 29 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 53 ns |
| Series： | BSC190N15 |
| Factory Pack Quantity： | 5000 |
| Tradename： | OptiMOS |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 25 ns |
| Part # Aliases： | BSC190N15NS3GATMA1 SP000416636 |
扫码手机查看更方便
同类器件
