Infineon Technologies 
BSC0911NDATMA1的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 25 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 40 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 3.7 mOhms, 1.3 mOhms |
| Configuration： | Dual |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 1.6 V |
| Qg - Gate Charge： | 3 nC, 8.8 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 2.5 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | TISON-8 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Fall Time： | 2.2 ns, 4 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 77 S, 130 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 2.8 ns, 5.4 ns |
| Series： | BSC0911 |
| Factory Pack Quantity： | 5000 |
| Tradename： | OptiMOS |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 15 ns, 25 ns |
| Part # Aliases： | SP000934746 |
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