 |
Infineon Technologies 
Datasheet下载地址
| 本地下载 >> 厂商下载2 >> 第三方平台下载 >> |
BSC042NE7NS3 G的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 75 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 100 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 4.2 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 3.1 V |
| Qg - Gate Charge： | 52 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 125 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | TDSON-8 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Fall Time： | 9 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 89 S, 44 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 17 ns |
| Series： | BSC042NE7 |
| Factory Pack Quantity： | 5000 |
| Tradename： | OptiMOS |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 34 ns |
| Part # Aliases： | BSC042NE7NS3GATMA1 SP000657440 |
扫码手机查看更方便
同类器件
