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| 型号： | BLV10 |
| 厂商： |
 Advanced Semiconductor, Inc. |
| 标准： |  |
| 分类： | 半导体 ， 分离式半导体 |
| 描述： | transistors RF bipolar RF transistor |
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Datasheet下载地址
BLV10的详细信息
| Manufacturer： | Advanced Semiconductor, Inc. |
|---|---|
| Product Category： | Transistors RF Bipolar |
| RoHS： | Yes |
| Type： | RF Bipolar Power |
| Transistor Polarity： | NPN |
| DC Collector/Base Gain hfe Min： | 10 |
| Maximum Operating Frequency： | 175 MHz |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max： | 18 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO： | 4 V |
| Continuous Collector Current： | 1.5 A |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Power Dissipation： | 20 W |
| Configuration： | Single |
| Mounting Style： | Screw |
| Package / Case： | SOT-123 |
| Packaging： | Tray |
| Brand： | Advanced Semiconductor, Inc. |
| Maximum DC Collector Current： | 4 A |
| Minimum Operating Temperature： | - 65 C |
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