NXP Semiconductors 
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BLT81 T/R的详细信息
| 制造商： | NXP |
|---|---|
| 产品种类： | 射频双极电源 |
| RoHS： | 是 |
| 配置： | Single Dual Emitter |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO： | 9.5 V |
| 发射极 - 基极电压 VEBO： | 2.5 V |
| 集电极连续电流： | 0.5 A |
| 功率耗散： | 2000 mW |
| 封装 / 箱体： | SOT-223 |
| 封装： | Reel |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 晶体管极性： | NPN |
| 零件号别名： | BLT81,115 |
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