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| 型号： | BG 3123 H6327 |
| 厂商： |
 Infineon Technologies |
| 标准： |   |
| 分类： | 半导体 ， 分离式半导体 |
| 描述： | transistors RF mosfet RF mosfetS |
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BG 3123 H6327的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | Transistors RF MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Configuration： | Dual |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Frequency： | 800 MHz |
| Gain： | 25 dB |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 12 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 25 mA |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 6 V |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOT-363 |
| Packaging： | Reel |
| Pd - Power Dissipation： | 200 mW |
| Series： | BG3123 |
| Factory Pack Quantity： | 3000 |
| Part # Aliases： | BG3123H6327XTSA1 SP000753490 |
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