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| 型号： | BFP 640 H6327 |
| 厂商： |
 Infineon Technologies |
| 标准： |   |
| 分类： | 半导体 ， 分离式半导体 |
| 描述： | transistors RF bipolar RF bip transistor |
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BFP 640 H6327的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | Transistors RF Bipolar |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Type： | RF Silicon Germanium |
| Transistor Polarity： | NPN |
| DC Collector/Base Gain hfe Min： | 110 |
| Maximum Operating Frequency： | 40 GHz |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max： | 4 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO： | 1.2 V |
| Continuous Collector Current： | 50 mA |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Power Dissipation： | 200 mW |
| Configuration： | Single Dual Emitter |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOT-343 |
| Packaging： | Reel |
| Minimum Operating Temperature： | - 65 C |
| Series： | BFP640 |
| Factory Pack Quantity： | 3000 |
| Part # Aliases： | BFP640H6327XTSA1 SP000745306 |
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