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| 型号： | BC 860B E6327 |
| 厂商： |
 Infineon Technologies |
| 标准： |   |
| 分类： | 半导体 ， 分离式半导体 |
| 描述： | transistors bipolar - bjt pnp silicon AF transistor |
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BC 860B E6327的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | Transistors Bipolar - BJT |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Configuration： | Single |
| Transistor Polarity： | PNP |
| Collector- Base Voltage VCBO： | 50 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max： | 45 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO： | 5 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage： | 650 mV |
| Maximum DC Collector Current： | 100 mA |
| Gain Bandwidth Product fT： | 250 MHz |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOT-23-3 |
| Continuous Collector Current： | 0.1 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min： | 125 at 2 mA at 5 V |
| DC Current Gain hFE Max： | 800 at 2 mA at 5 V |
| Maximum Power Dissipation： | 330 mW |
| Minimum Operating Temperature： | - 65 C |
| Packaging： | Reel |
| Series： | BC860 |
| Factory Pack Quantity： | 3000 |
| Part # Aliases： | BC860BE6327HTSA1 SP000010642 |
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