 |
NXP Semiconductors 
Datasheet下载地址
| 本地下载 >> 厂商下载2 >> 第三方平台下载 >> |
2N7002BKV,115的详细信息
| Manufacturer： | NXP |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 340 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 1.6 Ohms |
| Configuration： | Dual |
| Qg - Gate Charge： | 0.5 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 525 mW |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOT-666-6 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | NXP Semiconductors |
| Fall Time： | 7 nS |
| Forward Transconductance - Min： | 550 mS |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 6 nS |
| Factory Pack Quantity： | 4000 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 12 nS |
2N7002BKV,115相关文档
- Application note: Understanding Power MOSFET Datasheet Parameters (v.1.0)
- S-parameter: 2N7002BKV_8_18_2010 Spice parameter (v.1.0)
- Selection guide: NXP's Power MOSFET Selection Guide 2012; Smaller, faster, cooler (v.2.1)
- Line card: Broad small-signal MOSFET portfolio to suit a wide range of applications (v.2.0)
- PCN: Customer Information Notification
- PCN: Customer Information Notification
扫码手机查看更方便
同类器件
