 |
ON Semiconductor 
Datasheet下载地址
| 本地下载 >> 厂商下载2 >> 第三方平台下载 >> |
2N5551ZL1G的详细信息
| Manufacturer： | ON Semiconductor |
|---|---|
| Product Category： | Transistors Bipolar - BJT |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | ON Semiconductor |
| Configuration： | Single |
| Transistor Polarity： | NPN |
| Collector- Base Voltage VCBO： | 180 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max： | 160 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO： | 6 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage： | 0.25 V |
| Maximum DC Collector Current： | 0.6 A |
| Gain Bandwidth Product fT： | 300 MHz |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Mounting Style： | Through Hole |
| Package / Case： | TO-92-3 (TO-226) |
| Continuous Collector Current： | 0.6 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min： | 80 |
| Maximum Power Dissipation： | 625 mW |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Packaging： | Ammo Pack |
| Series： | 2N5551 |
| Factory Pack Quantity： | 2000 |
2N5551ZL1G相关文档
- Package Drawing: TO-92 (TO-226) 5.33mm Body Height
扫码手机查看更方便
同类器件
