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Image: ADM3058E ADM3058E Analog Devices Inc 半导体 接口 5.7 kV rms 信号隔离型 can FD 收发器 1.7 V 至 5.5 V 电源和逻辑侧电平 总线侧 4.5 V 至 5.5 V 电源 符合 iso 11898-2:2016 标准的 can FD 高达 12 mbps 的数据速率，适用于 can FD 较低的最大环路传播延迟：155 ns 扩展的共模范围：± 25 V 总线故障保护（canH、canL）：± 40 V 超越 EN 55022 B 级标准 6 dB 高共模瞬变抗扰度：>50 kV/μs 工业级工作温度范围：−40°C 至 +125°C 安全和监管审批（申请中） UL：5700 V rms 持续 1 分钟，符合 UL 1577 标准 csa 元件验收 5.7 kV rms 时 5A iec 60601 和 iec 61010 vde 合规证书 din vde V 0884-11 (vde V 0884-11):2017-01 viorm = 1500 V 峰值
Image: ADuM4137 ADuM4137 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 4 A 峰值电流 (<2 Ω rdson_x) 2.5 V 至 6.5 V 逻辑输入电压 4.5 V 至 35 V 输出电源电压 uvlo vdd1 时，正向阈值2.5 V （最大值） vdda 和 vddb 正向阀值上存在多个正向阈值 uvlo 选项 A 级：4.5 V （最大值） B 级：7.5 V （最大值） C 级：11.6 V （最大值） 精准时序特性 44 ns 最大传播延迟 可调停滞时间 cmos 输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度：150 kV/µs 高工作结温：125°C 默认低电平输出 安全和监管审批（申请中） UL 认证：符合 UL 1577 5700 V rms 持续 1 分钟 csa 元件验收通知 5A（申请中） vde 符合性证书（申请中） din V vde V 0884-11 viorm = 849 V 峰值 爬电距离增加的宽体 16 引脚 soic_ic
Image: ADuM4122 ADuM4122 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 每个输出引脚 2 A 输出电流 (<3 Ω rdson_x) 3 A 峰值短路电流 3.3 V 至 6.5 V、vdd1 4.5 V 至 35 V、vdd2 正向阈值，uvlo（3.3 V vdd1 时） vdd2 上存在多个正向阈值 uvlo 选项 A 级：4.4 V（典型值）正向阈值，uvlo B 级：7.3 V（典型值）正向阈值，uvlo C 级：11.3 V（典型值）正向阈值，uvlo 精准定时特性 下降缘传播延迟最大 48 ns cmos 输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度：>150 kV/µs 高工作结温：125°C 默认低电平输出 可选择的压摆率控制 安全和监管审批（申请中） UL 认证：符合 UL 1577 5 kV rms 持续 1 分钟 csa 元件验收通知 5A vde 符合性证书（申请中） din V vde V 0884-10 viorm = 849 V 峰值 8 引脚宽体 soic_ic 封装
Image: ADuM4138 ADuM4138 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 6 A 峰值驱动输出能力（典型值） 内部关闭 nfet，导通电阻：<1 Ω 内部打开 pfet，导通电阻：<1.2 Ω 2 种过流保护方法 去饱和检测 分裂式发射器过流保护 具有栅极感应输入的米勒箝位输出 隔离式故障输出 隔离式温度传感器回读 传播延迟 上升：95 ns（典型值） 下降：100 ns（典型值） 最小脉冲宽度：74 ns 工作结温范围：−40°C 至 +150°C vdd1 和 vdd2 uvlo 最小外部跟踪（爬电距离）：8.3 mm（待定） 安全和监管审批 5000 V rms 持续 1 分钟，符合 UL 1577 标准 csa 元件验收通知 5A din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10):2006-12 viorm = 849 vpeak（增强/基本） 符合汽车应用要求
Image: ADuM4120-1 ADuM4120-1 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 2.3 A 峰值输出电流 (<2 Ω rdson_x) 2.5 V 到 6.5 V vdd1 输入 4.5V 到 35 V vdd2 输出 2.3 V vdd1 时欠压锁定 (uvlo) vdd2 上存在多个欠压锁定 (uvlo) 选项 A 级—4.4 V（典型值）正向阈值 B 级—7.3 V（典型值）正向阈值 C 级—11.3 V（典型值）正向阈值 精准定时特性 隔离器和驱动器下降缘传播延迟最大 79 ns (adum4120) cmos 输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度：150 kV/μs 高工作结温：125°C 默认低电平输出 安全和监管审批（申请中） UL 认证：符合 UL 1577 1 分钟 5 kV rms，soic 长封装 csa 元件验收通知 5A vde 符合性证书（申请中） din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10):2006-12 viorm = 849 V 峰值 8 mm 爬电距离 6 引脚宽体 soic 封装，爬电距离更长
Image: ADuM4120 ADuM4120 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 2.3 A 峰值输出电流 (<2 Ω rdson_x) 2.5 V 到 6.5 V vdd1 输入 4.5V 到 35 V vdd2 输出 2.3 V vdd1 时欠压锁定 (uvlo) vdd2 上存在多个欠压锁定 (uvlo) 选项 A 级—4.4 V（典型值）正向阈值 B 级—7.3 V（典型值）正向阈值 C 级—11.3 V（典型值）正向阈值 精准定时特性 隔离器和驱动器下降缘传播延迟最大 79 ns (adum4120) cmos 输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度：150 kV/μs 高工作结温：125°C 默认低电平输出 安全和监管审批（申请中） UL 认证：符合 UL 1577 1 分钟 5 kV rms，soic 长封装 csa 元件验收通知 5A vde 符合性证书（申请中） din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10):2006-12 viorm = 849 V 峰值 8 mm 爬电距离 6 引脚宽体 soic 封装，爬电距离更长
Image: ADuM4121-1 ADuM4121-1 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 峰值输出电流：2 A (<2 Ω rdson) 2.5 V至6.5 V输入 4.5 V至35 V输出 欠压闭锁(uvlo)：2.5 V vdd1 vdd2上提供多个uvlo选项 A级：vdd2上的uvlo：4.4 V（典型值） B级：vdd2上的uvlo：7.3 V（典型值） C级：vdd2上的uvlo：11.3 V（典型值） 精密时序特性 隔离器和驱动器传播延迟：53 ns（最大值） cmos输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度：>150 kV/µs 工作结温最高可达：125°C 默认低电平输出 内部米勒箝位 安全和法规认证（申请中） UL认证符合UL 1577 1分钟5 kV rms，soic长封装 csa元件验收通知5A 符合vde标准证书（申请中） din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10)：2006-12 viorm = 849 V峰值 8引脚宽体soic封装
Image: ADuM4121 ADuM4121 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 峰值输出电流：2 A (<2 Ω rdson) 2.5 V至6.5 V输入 4.5 V至35 V输出 欠压闭锁(uvlo)：2.5 V vdd1 vdd2上提供多个uvlo选项 A级：vdd2上的uvlo：4.4 V（典型值） B级：vdd2上的uvlo：7.3 V（典型值） C级：vdd2上的uvlo：11.3 V（典型值） 精密时序特性 隔离器和驱动器传播延迟：53 ns（最大值） cmos输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度：>150 kV/µs 工作结温最高可达：125°C 默认低电平输出 内部米勒箝位 安全和法规认证（申请中） UL认证符合UL 1577 1分钟5 kV rms，soic长封装 csa元件验收通知5A 符合vde标准证书（申请中） din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10)：2006-12 viorm = 849 V峰值 8引脚宽体soic封装
Image: ADUM4135 ADUM4135 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 优势和特点 产品详情 4A峰值驱动输出能力 输出功率器件电阻：<1 Ω 去饱和保护n 隔离的去饱和故障报告 故障时软关断 带栅极检测输入的米勒箝位输出 隔离故障和就绪功能 低传播延迟：55 ns（典型值） 最小脉冲宽度：50 ns 工作温度范围：−40°C至+125°C 输出电压范围至30v 输入电压范围：2.3 V至6 V 输出和输入欠压闭锁(uvlo) 爬电距离：7.8 mm（最小值）/li> 共模瞬变抗扰度(cmti)：100 kV/µs 600 V rms或1092 V直流工作电压时寿命可达20年 安全和法规认证 1分钟5 kV AC，符合UL 1577 csa元件验收通知5A din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10):2006-12 viorm= 849 V峰值（强化/基本）
Image: ADuM4121-1 ADuM4121-1 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 峰值输出电流：2 A (<2 Ω rdson) 2.5 V至6.5 V输入 4.5 V至35 V输出 欠压闭锁(uvlo)：2.5 V vdd1 vdd2上提供多个uvlo选项 A级：vdd2上的uvlo：4.4 V（典型值） B级：vdd2上的uvlo：7.3 V（典型值） C级：vdd2上的uvlo：11.3 V（典型值） 精密时序特性 隔离器和驱动器传播延迟：53 ns（最大值） cmos输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度：>150 kV/µs 工作结温最高可达：125°C 默认低电平输出 内部米勒箝位 安全和法规认证（申请中） UL认证符合UL 1577 1分钟5 kV rms，soic长封装 csa元件验收通知5A 符合vde标准证书（申请中） din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10)：2006-12 viorm = 849 V峰值 8引脚宽体soic封装
Image: ADuM4120 ADuM4120 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 2.3 A 峰值输出电流 (<2 Ω rdson_x) 2.5 V 到 6.5 V vdd1 输入 4.5V 到 35 V vdd2 输出 2.3 V vdd1 时欠压锁定 (uvlo) vdd2 上存在多个欠压锁定 (uvlo) 选项 A 级—4.4 V（典型值）正向阈值 B 级—7.3 V（典型值）正向阈值 C 级—11.3 V（典型值）正向阈值 精准定时特性 隔离器和驱动器下降缘传播延迟最大 79 ns (adum4120) cmos 输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度：150 kV/μs 高工作结温：125°C 默认低电平输出 安全和监管审批（申请中） UL 认证：符合 UL 1577 1 分钟 5 kV rms，soic 长封装 csa 元件验收通知 5A vde 符合性证书（申请中） din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10):2006-12 viorm = 849 V 峰值 8 mm 爬电距离 6 引脚宽体 soic 封装，爬电距离更长
Image: ADuM4120-1 ADuM4120-1 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 2.3 A 峰值输出电流 (<2 Ω rdson_x) 2.5 V 到 6.5 V vdd1 输入 4.5V 到 35 V vdd2 输出 2.3 V vdd1 时欠压锁定 (uvlo) vdd2 上存在多个欠压锁定 (uvlo) 选项 A 级—4.4 V（典型值）正向阈值 B 级—7.3 V（典型值）正向阈值 C 级—11.3 V（典型值）正向阈值 精准定时特性 隔离器和驱动器下降缘传播延迟最大 79 ns (adum4120) cmos 输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度：150 kV/μs 高工作结温：125°C 默认低电平输出 安全和监管审批（申请中） UL 认证：符合 UL 1577 1 分钟 5 kV rms，soic 长封装 csa 元件验收通知 5A vde 符合性证书（申请中） din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10):2006-12 viorm = 849 V 峰值 8 mm 爬电距离 6 引脚宽体 soic 封装，爬电距离更长
Image: ADUM3190 ADUM3190 Analog Devices Inc 传感器，变送器 放大器 优势和特点 产品详情 在隔离反馈应用中保持稳定性 初始精度：0.5% 全温度范围精度：1% 兼容II型或iii型补偿网络 基准电压： 1.225 V 兼容dosa 低功耗工作： <7 mA（总功耗） 宽电源电压范围 vdd1: 3 V至20 V vdd2: 3 V至20 V 带宽： 400 khz 隔离电压： 2.5 kV rms 安全和法规认证 UL认证： 依据UL 1577，1分钟2,500 V rms csa元件验收通知5A vde合格证书 din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10):2006-12 viorm = 565 V peak 宽温度范围 工作环境温度：−40°C至 +125°C 最高结点温度：150°C 通过汽车应用认证
Image: MAX33251E MAX33251E Maxim Integrated 半导体 接口 主要特征 高度集成节省空间及简化设计 集成电荷泵和转换器省去额外电源 4个内部电容节省pcb空间 集成隔离器比分立式方案节省高达63% 集成保护，支持可靠的通信 600vrms隔离耐压，可持续60秒(viso) 200vrms工作电压，寿命可长达50年以上(viowm) 集成±15kv esd人体模式(hbm) 应用/用途 通信系统 通信系统 gps装置 工业设备 医疗装置 pos系统
Image: MC33074ADR2G MC33074ADR2G ON Semiconductor 半导体 集成电路 - IC operational amplifiers - Op amps 3-44v quad 3mv vio industrial temp
Image: MC34074DR2G MC34074DR2G ON Semiconductor 半导体 集成电路 - IC operational amplifiers - Op amps 3-44v quad 5mv vio commercial temp
Image: MC33272ADR2G MC33272ADR2G ON Semiconductor 半导体 集成电路 - IC operational amplifiers - Op amps 3-36v dual low noise low vio ind. temp
Image: MC34074VDR2G MC34074VDR2G ON Semiconductor 半导体 集成电路 - IC operational amplifiers - Op amps 3-44v quad 5mv vio extended temp
Image: MC33274ADG MC33274ADG ON Semiconductor 半导体 集成电路 - IC operational amplifiers - Op amps 3-36v quad low noise low vio ind. temp
Image: MC33072DG MC33072DG ON Semiconductor 半导体 集成电路 - IC operational amplifiers - Op amps 3-44v dual 5mv vio industrial temp

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