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Image: N04Q1612C2BT2-15C N04Q1612C2BT2-15C NanoAmp Solutions, Inc. 4mb ultra-low power asynchronous cmos sram w/ dual vcc and vccQ for ultimate power reduction 256k】16 bit power saver technology
Image: N04Q1612C2BT-70C N04Q1612C2BT-70C NanoAmp Solutions, Inc. 4mb ultra-low power asynchronous cmos sram w/ dual vcc and vccQ for ultimate power reduction 256k】16 bit power saver technology
Image: N04Q1612C2BW-15I N04Q1612C2BW-15I NanoAmp Solutions, Inc. 4mb ultra-low power asynchronous cmos sram w/ dual vcc and vccQ for ultimate power reduction 256k】16 bit power saver technology
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Image: N04Q1612C2BB-70I N04Q1612C2BB-70I NanoAmp Solutions, Inc. 4mb ultra-low power asynchronous cmos sram w/ dual vcc and vccQ for ultimate power reduction 256k】16 bit power saver technology
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Image: N04Q1618C2BB-15C N04Q1618C2BB-15C NanoAmp Solutions, Inc. 4mb ultra-low power asynchronous cmos sram w/ dual vcc and vccQ for ultimate power reduction 256k】16 bit power saver technology
Image: N04Q1618C2BB-70C N04Q1618C2BB-70C NanoAmp Solutions, Inc. 4mb ultra-low power asynchronous cmos sram w/ dual vcc and vccQ for ultimate power reduction 256k】16 bit power saver technology
Image: N04Q1612C2BX-15C N04Q1612C2BX-15C AMI SEMICONDUCTOR 4mb ultra-low power asynchronous cmos sram w/ dual vcc and vccQ for ultimate power reduction 256k】16 bit power saver technology
Image: N04Q1612C2BX-15C N04Q1612C2BX-15C NanoAmp Solutions, Inc. 4mb ultra-low power asynchronous cmos sram w/ dual vcc and vccQ for ultimate power reduction 256k？—16 bit power saver technology
Image: N04Q1618C2B N04Q1618C2B AMI SEMICONDUCTOR 4mb ultra-low power asynchronous cmos sram w/ dual vcc and vccQ for ultimate power reduction 256k】16 bit power saver technology
Image: M40SZ100W M40SZ100W STMicroelectronics 半导体 微控制器和微处理器 将低功耗sram转换为nvram 3V工作电压 精密电源监控和电源开关电路 vccis超出公差时的自动写保护 电源电压和电源故障的选择取消选择电压： vcc=2.7至3.6 V；2.55 V≤vpfd≤2.70 V 上电复位的复位输出（rst） pfv/1参考 小于15ns芯片启用访问传播延迟 电池低引脚（BL） 符合rohs 无铅二级互连
Image: ISO1042 ISO1042 Texas Instruments 半导体 接口 符合 iso 11898-2:2016 和 iso 11898-5:2007 物理层标准 支持经典的最高 1mbps can 和最高 5mbps FD（灵活数据速率） 低环路延迟：152ns 保护 功能 直流总线故障保护电压：±70v 总线引脚的 hbm esd 容差：±16kv 驱动器显性超时 (txd dto) vcc1 和 vcc2 欠压保护 共模电压范围：±30v 未上电时的理想无源、高阻抗总线终端 高 cmti：100kv/µs vcc1 电压范围：1.71v 至 5.5V 支持连接到 can 控制器的 1.8V、2.5V、3.3V 和 5.0V 逻辑接口 vcc2 电压范围：4.5V 至 5.5V 优异的电磁兼容性 (emc) 系统级 esd、eft 和浪涌抗扰性
Image: ISO1042-Q1 ISO1042-Q1 Texas Instruments 半导体 接口 符合面向汽车应用的 aec q100 标准 等级 1：–40°C 至 125°C 的环境温度范围 符合 iso 11898-2:2016 和 iso 11898-5:2007 物理层标准 支持经典的最高 1mbps can 和最高 5mbps FD（灵活数据速率） 低环路延迟：152ns 保护 功能 直流总线故障保护电压：±70v 总线引脚的 hbm esd 容差：±16kv 驱动器显性超时 (txd dto) vcc1 和 vcc2 欠压保护 共模电压范围：±30v 未上电时的理想无源、高阻抗总线终端 高 cmti：100kv/µs vcc1 电压范围：1.71v 至 5.5V 支持连接到 can 控制器的 1.8V、2.5V、3.3V 和 5.0V 逻辑接口 vcc2 电压范围：4.5V 至 5.5V
Image: ISO1044 ISO1044 Texas Instruments 半导体 接口 符合iso 11898-2:2016物理层标准 支持高达1 mbps的classic can和高达5 mbps的FD（灵活数据速率） 保护特性 直流母线故障保护电压：±58v 母线插脚的iec esd公差：±8 kV 母线引脚上的hbm esd公差：±10 kV 驾驶员主导超时（txd dto） vcc1和vcc2上的欠压保护 共模电压范围：±12 V
Image: NL27WZ08 NL27WZ08 ON Semiconductor 半导体 逻辑 极高速度：vcc=5 V时tpd 2.5 ns（典型值） 设计用于1.65 V至5.5 V vcc操作 过电压容限输入 LVttl兼容–接口能力为5 V ttl逻辑，vcc=3 V lvcmos兼容 24 mA平衡输出接收器和源容量 接近零的静态电源电流大大降低了系统功率需求 更换nc7wz08 芯片复杂度：fet=124极高速度：vcc=5 V时tpd 2.5 ns（典型值） 设计用于1.65 V至5.5 V vcc操作 过电压容限输入 LVttl兼容–接口能力为5 V ttl逻辑，vcc=3 V lvcmos兼容 24 mA平衡输出接收器和源容量 接近零的静态电源电流大大降低了系统功率需求 更换nc7wz08 芯片复杂度：fet=124
Image: 74LCXH162244 74LCXH162244 ON Semiconductor 半导体 逻辑 lcxh162244包含16个具有3态输出的同相缓冲器，可用作存储器和地址驱动器、时钟驱动器或总线导向发射器/接收器。 该器件为半字节控制器件。 每个半字节均有独立的3态控制输入，可以短接在一起进行完整的16位运行。 lcxh162244数据输入包含有源总线保持电路，无需外部上拉电阻即可将未用或浮动数据输入保持在有效逻辑电平。 此外，输出包含等效26ohm（标称）串联电阻，以减小过冲和欠冲，其设计旨在使灌电流/源电流在vcc = 3.0V时达到12 mA。 lcxh162244设计用于接口能力达到5V信号环境的低压（2.5V或3.3V）vcc应用。 lcxh162244采用先进的cmos技术制造，以在实现高速运行的同时保持cmos低功耗。 特性 5V容差输入和输出电压 提供2.3V-3.6V vcc规格 输出端包含26ohm的等效串联电阻，从而不再需要外部终端电阻，并可减小过冲和欠冲 输入端总线保持功能避免了外部上拉/下拉电阻的需要。 5.3 ns tpd最大值(vcc = 3.0V)，20 µA icc最大值 掉电高阻抗输入和输出 ±12 mA输出驱动(vcc = 3.0V) 实施专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路 闩锁性能超过500 mA 静电放电(esd)性能： 人体模型> 2000v 机械模型> 200v
Image: 74LCXZ16244 74LCXZ16244 ON Semiconductor 半导体 逻辑 lcxz16244包含16个具有3态输出的同相缓冲器，可用作存储器和地址驱动器、时钟驱动器或总线导向发射器/接收器。 该器件为半字节控制器件。 每个半字节均有独立的3态控制输入，可以短接在一起进行完整的16位运行。 当vcc介于0V和1.5V之间时，lcxz16244在通电或断电期间处于高阻抗状态。 此设计将输出置于高阻抗状态(Z)，防止间歇性低阻抗负载或总线主导应用的失灵。 lcxz16244设计用于接口能力达到5V信号环境的低压（2.7V或3.3V）vcc应用。 lcxz16244采用先进的cmos技术制造，以在实现高速运行的同时保持cmos低功耗。 特性 5V容差输入和输出 保证通电/关断高阻抗 支持带电插/拔 提供2.7V-3.6V vcc规格 4.5 ns tpd最大值(vcc = 3.0V)，20 µA icc最大值 ±24 mA输出驱动(vcc = 3.0V) 实施专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路 闩锁性能超过500 mA 静电放电(esd)性能： 人体模型> 2000v 机械模型> 200v 同样采用塑料细间距球栅阵列(fbga)封装（初始版）
Image: NL5S4157A NL5S4157A ON Semiconductor 半导体 接口 nl5s4157是低ron spdt模拟开关。该器件专为移动应用中的扬声器输出的低工作电压，高电流切换而设计。它可以切换平衡的立体声输出。它可以在单声道模式下处理平衡的麦克风/扬声器/铃声发生器。 特征 好处 vcc的宽工作范围：1.65 V至5.5 V vcc宽工作范围：1.65 V至5.5 V 控制引脚的ovt最高为+5.5 V 控制引脚的ovt最高为+5.5 V ron：vcc = 4.5 V时通常<1Ω ron：vcc = 4.5 V时通常<1Ω 轨到轨输入/输出 轨到轨输入/输出 该设备无铅，无卤素/无溴化阻燃剂且符合rohs 该设备无铅，无卤素/无溴化阻燃剂且符合rohs 应用领域 最终产品 手机扬声器/麦克风切换 铃声芯片/放大器切换 立体声平衡（推挽）切换 RF PA路由 通用开关

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