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BAS21AW,115
NXP Semiconductors
半导体
分离式半导体
diode
s -
general
purpose
,
power
,
switching
diode
SW
200v
200ma
HS
umt3
BAS21SW,115
NXP Semiconductors
半导体
分离式半导体
diode
s -
general
purpose
,
power
,
switching
diode
SW
200v
200ma
HS
umt3
BAS21W,115
NXP Semiconductors
半导体
分离式半导体
diode
s -
general
purpose
,
power
,
switching
diode
SW
200v
200ma
HS
umt3
DTC114TUBTL
Rohm Semiconductor
半导体
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
trans
prebias
npn
200mw
umt3
DTA143TUBTL
Rohm Semiconductor
半导体
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
trans
prebias
pnp
200mw
umt3
DTA114TUBTL
Rohm Semiconductor
半导体
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
trans
prebias
pnp
200mw
umt3
DTC363EUT106
Rohm Semiconductor
半导体
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
trans
prebias
npn
200mw
umt3
DTC314TUT106
Rohm Semiconductor
半导体
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
trans
prebias
npn
200mw
umt3
DTC323TUT106
Rohm Semiconductor
半导体
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
trans
prebias
npn
200mw
umt3
2SB1694FRA
Rohm Semiconductor
半导体
晶体管
型号|
2sb1694frat106
状态| 可购买 封装|
umt3
包装数量|
3000
最小独立包装数量|
3000
包装形态| 编带
rohs
| 是 特性: 年级汽车行业通用标准
aec
-
q101
(汽车级)包装代码
sot
-
323jeita
套餐SC-70包装尺寸[mm]2.
0x2
.1(t = 0.9)端子数3极性
pnp
集电极功耗PC [W]0.2集电极-发射极电压
vceo1
[V]-30.0集电极电流Io(Ic)[A]-1.
0hfe270
至
680
安装方式表面贴装储存温度(最低)[°C]-55储存温度(最高)[°C]
150
UMH25NFHA
Rohm Semiconductor
半导体
晶体管
特点:
umt6
封装中的两个
dtc143z
芯片。 可以使用
umt3
自动安装机进行安装。 晶体管元件是独立的,消除了干扰。 安装成本和面积可减少一半
RU1C001UNTCL
Rohm Semiconductor
半导体
FET - 单
mosfet
N-CH
20v
0.1A
umt3f
RU1C002UNTCL
Rohm Semiconductor
半导体
FET - 单
mosfet
N-CH
20v
0.2A
umt3f
DTC143EUBTL
Rohm Semiconductor
半导体
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
trans
prebias
npn
200mw
umt3f
DTA143XUBTL
Rohm Semiconductor
半导体
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
trans
prebias
pnp
200mw
umt3f
DTC123JUBTL
Rohm Semiconductor
半导体
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
trans
prebias
npn
200mw
umt3f
DTC124EUBTL
Rohm Semiconductor
半导体
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
trans
prebias
npn
200mw
umt3f
DTA123JUBTL
Rohm Semiconductor
半导体
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
trans
prebias
pnp
200mw
umt3f
DTA143ZUBTL
Rohm Semiconductor
半导体
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
trans
prebias
pnp
200mw
umt3f
DTA114YUBTL
Rohm Semiconductor
半导体
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
trans
prebias
pnp
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umt3f
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