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Image: PCA9600 PCA9600 NXP Semiconductors 半导体 接口 I²C总线信号的双向数据传输 隔离电容，允许SX / SY侧为400 pF，TX / TY侧为4000 pF TX / TY输出具有60 mA灌电流能力，用于驱动低阻抗或高电容总线 在长达20米的电线上以1 mhz的频率工作（请参见an10658） 电源电压范围为2.5 V至15 V，SX / SY侧具有I²C总线逻辑电平，与电源电压无关 将I²C总线信号分成成对的正向/反向TX / RX，TY / RY信号对，以便与光电隔离器和需要单向输入和输出信号路径的类似设备进行接口连接 低电源电流 esd保护超过每个Jesd22-a114 3500 V hbm和每个Jesd22-c101 1400 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行 提供的封装：so8和tssop8（msop8）
Image: PCA9560 PCA9560 NXP Semiconductors 半导体 接口 5位3对1多路复用器，1位锁存dip开关 5位外部硬件引脚 两个6位内部非易失性寄存器，与pca9559完全引脚对引脚兼容 在两个非易失性寄存器之间选择 非易失性寄存器和外部硬件引脚之间的选择 I²C/ smbus接口逻辑 输入引脚和控制信号上的内部上拉电阻 输入上的有效高写保护控制了写入非易失性寄存器的能力 2个地址引脚，在I²C总线上最多允许4个设备 5个开漏多路复用输出 开漏非多路输出 内部6位非易失性寄存器可通过I²C总线进行编程和读取 可通过I²C总线读取外部硬件5位值 I²C总线可以覆盖多路复用器的选择 工作电源电压3.0 V至3.6 V 5 V和2.5 V耐压输入/输出 0至400 khz时钟频率 esd保护超过每个Jesd22-a114 2000 V hbm，每个Jesd22-a115 200 V MM和每个Jesd22-c101 1000 V cdm 闩锁测试是针对超过100 mA的JesdEC标准Jesd78进行的。 封装产品：so20，tssop20
Image: ZXLD1371QESTTC ZXLD1371QESTTC Diodes Incorporated 半导体 集成电路 - IC led lighting drivers led controller tssop tssop-16ep T&R 2.5K
Image: ZXLD1371EST16TC ZXLD1371EST16TC Diodes Incorporated 半导体 集成电路 - IC power management specialized led controller tssop tssop-16ep T&R 2.5K
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Image: DB-TSSOP-SKT DB-TSSOP-SKT FDI 嵌入式解决方案 接口模块和开发工具 接口模块和开发工具 rev 1 28-p zif tssop for lpc9xxx devices
Image: TSSOP-28 TSSOP-28 Fairchild Semiconductor tssop-28
Image: TSSOP-14PIN TSSOP-14PIN International Rectifier tssop package 14-pin
Image: DMN2019UTS-13 DMN2019UTS-13 Diodes Incorporated 半导体 分离式半导体 mosfet mosfet bvdss: 8V-24v 24v tssop-8 T&R 2.5K
Image: LMX2433TMX LMX2433TMX Texas Instruments 半导体 射频半导体 phase locked loops - pll 3.6 ghz/1.7 ghz pllatinum dual high frequency synthesizer for RF personal communications 20-tssop -40 to 85
Image: LMX2434TMX LMX2434TMX Texas Instruments 半导体 射频半导体 phase locked loops - pll 5.0 ghz/2.5 ghz pllatinum low power dual frequency synthesizer for RF personal communications 20-tssop -40 to 85

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