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图片 型号 厂商 标准 分类 描述
Image: BGB 719N7ESD E6327 BGB 719N7ESD E6327 Infineon Technologies 无源元器件 RF 放大器 IC amp mmic RF FM radio tsnp-7
Image: BGA 748N16 E6327 BGA 748N16 E6327 Infineon Technologies 无源元器件 RF 放大器 IC amp mmic quad-band LN tsnp-16
Image: BGM 1034N7 E6327 BGM 1034N7 E6327 Infineon Technologies 无源元器件 RF 前端 (LNA + PA) IC amp mmic RF 17.0db tsnp-7
Image: BGM 781N11 E6327 BGM 781N11 E6327 Infineon Technologies 无源元器件 RF 前端 (LNA + PA) module gps front-end tsnp-11-2
Image: BGM 1032N7 E6327 BGM 1032N7 E6327 Infineon Technologies 无源元器件 RF 其它 IC 和模块 module gps front-end tsnp-7-10
Image: BGM 1033N7 E6327 BGM 1033N7 E6327 Infineon Technologies 无源元器件 RF 其它 IC 和模块 module gps front-end tsnp-7-10
Image: BGT24LTR11N16 BGT24LTR11N16 Infineon Technologies 传感器，变送器 光学传感器 bgt24ltr11是用于信号生成和接收的硅锗雷达mmic，工作在24.0ghz至24.25ghz ism频段。它基于24ghz基本压控振荡器（vco）。该设备在设计时就考虑了多普勒雷达应用，因为它能够将发射信号保持在ism频段内，而无需任何外部pll，并且还可以用于其他类型的雷达，例如fmcw或fsk。该器件采用0.18μmsige：C技术制造，截止频率为200ghz。它采用16引脚无铅rohs兼容tsnp封装。
Image: BGA924N6板 BGA924N6板 Infineon Technologies 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 功能概要 •高插入功率增益：16.2 dB •带外输入三阶交调截点：+ 10dbm •输入1 dB压缩点：-5 dbm •应用中的低噪声系数 •低电流消耗：4.8 mA •工作频率： 1550-1615 mhz •电源电压：1.5 V至3.3 V •数字开/关开关（1V逻辑高电平） •超小tsnp-6-2无铅封装（占地面积：0.7 x 1.1 mm2），高度低至0.4mm •b7hf硅锗技术 •射频输出内部匹配至50Ω •仅需一个外部smd组件 •2kv hbm esd保护（包括AI引脚） •无铅（符合rohs要求）封装
Image: BGA924N6板 BGA924N6板 Infineon Technologies 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 能概要 •高插入功率增益：16.2 dB •带外输入三阶交调截点：+ 10dbm •输入1 dB压缩点：-5 dbm •应用中的低噪声系数 •低电流消耗：4.8 mA •工作频率： 1550-1615 mhz •电源电压：1.5 V至3.3 V •数字开/关开关（1V逻辑高电平） •超小tsnp-6-2无铅封装（占地面积：0.7 x 1.1 mm2），高度低至0.4mm •b7hf硅锗技术 •射频输出内部匹配至50Ω •仅需一个外部smd组件 •2kv hbm esd保护（包括AI引脚）

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