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Image: 13358 13358 Desco 电路保护 静电控制屏蔽包，材料 BG sttshld mtl-IN 6''x24'' 100ea
Image: 13359 13359 Desco 电路保护 静电控制屏蔽包，材料 BG sttshld mtl-IN 6''x26'' 100ea
Image: 13360 13360 Desco 电路保护 静电控制屏蔽包，材料 BG sttshld mtl-IN 6''x30'' 100ea
Image: 13370 13370 Desco 电路保护 静电控制屏蔽包，材料 BG sttshld mtl-IN 8''x24'' 100ea
Image: 13371 13371 Desco 电路保护 静电控制屏蔽包，材料 BG sttshld mtl-IN 8''x30'' 100ea
Image: 13581 13581 Desco 电路保护 静电控制屏蔽包，材料 BG sttshld mtl-IN 24''x24'' 1pk
Image: 13582 13582 Desco 电路保护 静电控制屏蔽包，材料 BG sttshld mtl-IN 24''x30'' 1pk
Image: 13584 13584 Desco 电路保护 静电控制屏蔽包，材料 BG sttshld mtl-IN 30''x24'' 1pk
Image: 13583 13583 Desco 电路保护 静电控制屏蔽包，材料 BG sttshld mtl-IN 24''x36'' 1pk
Image: 2753481 2753481 Phoenix Contact 连接器 接线端子 terminal block tools & accessories IB sttb 24 do2 16/3
Image: PA84S PA84S Cirrus Logic Inc 半导体 集成电路(IC) 运算放大器 linear Op-amp,200v/ uS fast sttlng time
Image: STTH10002 STTH10002 STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 stth10002是一种适用于焊接设备和大功率工业应用的双整流器。 该装置采用同位素封装，用于电力变换器的二次整流。 主要特性 非常低的远期损失 恢复时间短 高浪涌电流能力 绝缘包装 绝缘电压=2500 V rms 电容=45 pF
Image: STTH1003S STTH1003S STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 stth1003s是一款超快恢复功率整流器，专门用于pdp应用中的能量回收。 它是专门为能量回收块的夹紧功能而设计的。正向压降和恢复时间之间的折衷提供了最佳性能。 主要特性 超快恢复 低功率损耗 高浪涌能力 低泄漏电流 结温高
Image: STTH100W04C STTH100W04C STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 stth100w04cw采用ST turbo 2400伏技术。特别适用于mig/mma/tig焊机二级DC/DC和DC/AC变换器。安装在ST的TO-247，该设备为所有焊接机和工业应用提供高功率集成。 主要特性 超快开关 低反向恢复电流 低热阻 降低开关损耗 符合ecopack®2的组件 带状粘合，更坚固
Image: STTH102 STTH102 STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 stth102采用了ST新的200v平面技术，特别适用于开关模式基极驱动和晶体管电路。该器件还可用于电源和其他电源开关应用中的自由轮二极管。 主要特性 非常低的传导损耗 正向和反向恢复时间较短 可忽略的开关损耗 结温高
Image: STTH10R04 STTH10R04 STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 stth10r04是一款超快恢复功率整流器，专门用于pdp应用中的能量回收。 它是专门为能量回收块的夹紧功能而设计的。 正向压降和恢复时间之间的折衷提供了最佳性能。 主要特性 超快恢复 高浪涌能力 低功率损耗 结温高 低泄漏电流
Image: STTH1202 STTH1202 STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 stth1202采用了ST公司新的200v平面铂掺杂技术，特别适用于开关模式基极驱动和晶体管电路。 该装置封装在TO-220ac、TO-220fPAC和TO-220ac ins中，用于低压、高频逆变器、自由轮和极性保护。 主要特性 非常低的传导损耗 正向和反向恢复时间较短 可忽略的开关损耗 绝缘组件TO-220f电气绝缘1500 vrmsTO-220ac绝缘2500 vrms 结温高
Image: STTH212 STTH212 STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 stth212采用ST超快高压平面技术，特别适合于电源和其他电源开关应用中的续流，夹持，缓冲，去磁。 该二极管采用轴向，smb和smc封装，可减少高开关频率操作中的损耗。 主要特点 低正向压降 高浪涌电流能力 高可靠性 平面技术 软开关可减少emi干扰
Image: STTH112-Y STTH112-Y STMicroelectronics 半导体 微控制器 stth112-Y采用了ST公司最新的1200伏平面技术，特别适用于开关模式基极驱动和晶体管电路。 该器件还可作为自由轮二极管用于电源和其他汽车功能的电源开关应用。 主要特性 非常低的传导损耗 可忽略的开关损耗 正向和反向恢复时间较短 结温高 aec-q101合格 符合ecopack®2的组件
Image: STTH110-Y STTH110-Y STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 stth110-Y采用了ST公司新的1000v平面技术，特别适用于开关模式基极驱动和晶体管电路。 该器件还可作为自由轮二极管用于电源和其他汽车功能的电源开关应用。 主要特性 非常低的传导损耗 可忽略的开关损耗 正向和反向恢复时间较短 结温高 aec-q101合格 符合ecopack®2的组件

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