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Image: ZXMC3F31DN8 ZXMC3F31DN8 Zetex Semiconductors 30v so8 complementary dual enhancement mode mosfet
Image: ZXMC3F31DN8TA ZXMC3F31DN8TA Zetex Semiconductors 30v so8 complementary dual enhancement mode mosfet
Image: ZXMC3F31DN8 ZXMC3F31DN8 Diodes Incorporated 30v so8 complementary dual enhancement mode
Image: MCS3AS MCS3AS ETC 3-element colour sensor - smd/so8
Image: AMS4122 AMS4122 Advanced Monolithic Systems single 4A/dual 2A buck converter IN so8
Image: AMS4122S AMS4122S Advanced Monolithic Systems single 4A/dual 2A buck converter IN so8
Image: SM5420E-060-A-P-S SM5420E-060-A-P-S Silicon Microstructures, Inc. 传感器，变送器 压力传感器 the sm5420e is a small outline so8 packaged pressure sensor that incorporates smi’s new sm5108e mems piezoresistive pressure sensing die.
Image: SM5420E-060-A-H-S SM5420E-060-A-H-S Silicon Microstructures, Inc. 传感器，变送器 压力传感器 the sm5420e is a small outline so8 packaged pressure sensor that incorporates smi’s new sm5108e mems piezoresistive pressure sensing die
Image: SM5420E-100-A-H-S SM5420E-100-A-H-S Silicon Microstructures, Inc. 传感器，变送器 压力传感器 the sm5420e is a small outline so8 packaged pressure sensor that incorporates smi’s new sm5108e mems piezoresistive pressure sensing die
Image: SM5420E-030-A-P-S SM5420E-030-A-P-S Silicon Microstructures, Inc. 传感器，变送器 压力传感器 the sm5420e is a small outline so8 packaged pressure sensor that incorporates smi’s new sm5108e mems piezoresistive pressure sensing die.
Image: SM5420E-030-A-H-T SM5420E-030-A-H-T Silicon Microstructures, Inc. 传感器，变送器 压力传感器 the sm5420e is a small outline so8 packaged pressure sensor that incorporates smi’s new sm5108e mems piezoresistive pressure sensing die.
Image: LM193 LM193 STMicroelectronics 嵌入式解决方案 放大模块和开发工具 宽单电源电压范围或双电源：2 V至36 V或±1 V至±18 V 与电源电压无关的极低电源电流（0.45 mA）（1 mW/比较器，5 V） 低输入偏置电流：20毫安典型值。 低输入偏移电流：±3 nA典型值。 低输入偏移电压：±1 mV典型值。 输入共模电压范围包括接地 低输出饱和电压：80毫伏典型值。（isink=4毫安） 差分输入电压范围等于电源电压 ttl、dtl、ecl、mos、Cmos兼容输出 提供dfn8 2x2、Miniso8、tssop8和so8软件包
Image: SA56004X SA56004X NXP Semiconductors 传感器，变送器 温度传感器 精确感测远程微处理器热敏二极管或二极管连接的晶体管的温度，误差范围为±1°C 片内局部温度检测在±2°C之内 温度范围为−40°C至+125°C 11位，0.125°C分辨率 8种不同的设备地址可用于服务器应用程序。标记代码为56004e的SA56004eD和标记代码为6004e的SA56004eDP与national lm86，max6657 / 8和adm1032地址兼容 失调寄存器可用于调节远程温度精度 可编程的高温/低温警报：alert和t_crit smbus 2.0兼容接口，支持超时 工作电压范围：3.0 V至3.6 V I²C总线标准模式和快速模式兼容 so8，tssop8和hvson8封装 可编程转换率（0.0625 Hz至26 Hz）
Image: PCA9509 PCA9509 NXP Semiconductors 半导体 接口 双向缓冲器隔离电容，并在设备的端口B上允许400 pF的电容 从端口A（1.35 V至V CC（B） ‑ 1.0 V）到端口B（3.0 V至5.5 V）的电压电平转换 在较低电压端口A上不需要外部上拉电阻 高电平有效中继器使能输入 开漏输入/输出 无锁操作 支持中继器的仲裁和时钟延长 容纳标准模式和快速模式I²C总线设备以及多个主机 断电的高阻抗I²C总线引脚 端口A的工作电源电压范围为1.35 V至V CC（B） -1.0 V，端口B的工作电源电压范围为3.0 V至5.5 V 5 V耐压端口B scl，sda和使能引脚 0 Hz至400 khz时钟频率 备注：由于中继器增加了延迟，因此最大系统工作频率可能小于400 khz。 esd保护超过每个Jesd22-a114 2000 V hbm和每个Jesd22-c101 1000 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行 提供的封装：tssop8，so8，xqfn8
Image: PCA9511A PCA9511A NXP Semiconductors 半导体 二极管/齐纳阵列 sda和scl线路的双向缓冲区增加了扇出，并防止在带电板插入和从多点背板系统中卸下时sda和scl损坏 兼容I²C总线标准模式，I²C总线快速模式和smbus标准 所有sda和scl线上的内置ΔV/Δt上升时间加速器（0.6 V阈值）要求总线上拉电压和电源电压（V CC）相同 高电平有效输入 高电平有效的开漏输出 V CC = 0 V的高阻抗sda和scl引脚 所有sda和scl线上的1 V预充电 支持时钟延长和多个主仲裁/同步 工作电源电压范围：2.7 V至5.5 V 0 Hz至400 khz时钟频率 esd保护超过每个Jesd22-a114 2000 V hbm，每个Jesd22-a115 200 V MM和每个Jesd22-c101 1000 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行 提供的封装：so8，tssop8（msop8）
Image: PCA9600 PCA9600 NXP Semiconductors 半导体 接口 I²C总线信号的双向数据传输 隔离电容，允许SX / SY侧为400 pF，TX / TY侧为4000 pF TX / TY输出具有60 mA灌电流能力，用于驱动低阻抗或高电容总线 在长达20米的电线上以1 mhz的频率工作（请参见an10658） 电源电压范围为2.5 V至15 V，SX / SY侧具有I²C总线逻辑电平，与电源电压无关 将I²C总线信号分成成对的正向/反向TX / RX，TY / RY信号对，以便与光电隔离器和需要单向输入和输出信号路径的类似设备进行接口连接 低电源电流 esd保护超过每个Jesd22-a114 3500 V hbm和每个Jesd22-c101 1400 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行 提供的封装：so8和tssop8（msop8）
Image: MP6002 MP6002 Monolithic Power Systems (MPS) 电源 电源管理 IC 详情 mp6002 是一款集成 150v 功率开关管的单片反激/正激 DC-DC 变换器，提供高达 30w 的输出功率，也可用于升压和升降压应用。mp6002 采用定频原边峰值电流模式控制器结构，具有内部软启动、自动重启模式以及过流保护、短路保护和过压保护功能。mp6002 还具有跳周期模式以维持零负载调节率。它含有一个直接光耦合器接口，当需要隔离输出时绕过内部误差放大器。mp6002 是电信应用的理想之选，采用带散热焊盘的紧凑型、散热性能较强的 so8 封装。
Image: MP6002 MP6002 Monolithic Power Systems (MPS) 电源 电源管理 IC 详情 mp6002 是一款集成 150v 功率开关管的单片反激/正激 DC-DC 变换器，提供高达 30w 的输出功率，也可用于升压和升降压应用。mp6002 采用定频原边峰值电流模式控制器结构，具有内部软启动、自动重启模式以及过流保护、短路保护和过压保护功能。mp6002 还具有跳周期模式以维持零负载调节率。它含有一个直接光耦合器接口，当需要隔离输出时绕过内部误差放大器。mp6002 是电信应用的理想之选，采用带散热焊盘的紧凑型、散热性能较强的 so8 封装。
Image: NTMFS4935NT1G NTMFS4935NT1G ON Semiconductor 半导体 分离式半导体 mosfet nfet so8fl 30v
Image: NTMFS4845NT1G NTMFS4845NT1G ON Semiconductor 半导体 分离式半导体 mosfet nfet so8fl 30v TR

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