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Image:            SN65HVD230Q SN65HVD230Q Texas Instruments 半导体 接口 合格汽车应用 根据mil-std-883方法3015esd保护超过2000 V; 使用机器型号时超过200 V(C=200 pF,R=0) 使用3.3伏电源供电 pca82c250占地面积的低功耗替代品 总线/引脚esd保护超过15 kV hbm 改善信号的受控驱动器输出转换时间 sn65hvd230qsn65hvd231q的质量 无动力节点不会干扰总线 符合iso 11898标准的要求 低电流sn65hvd230q待机模式370µA典型 低电流sn65hvd231q休眠模式0.1µA典型值 设计用于高达1兆位/秒(mbps)的信令速率 过温度保护
Image:            SN65HVD231Q SN65HVD231Q Texas Instruments 半导体 接口 合格汽车应用 根据mil-std-883方法3015esd保护超过2000 V; 使用机器型号时超过200 V(C=200 pF,R=0) 使用3.3伏电源供电 pca82c250占地面积的低功耗替代品 总线/引脚esd保护超过15 kV hbm 改善信号的受控驱动器输出转换时间 sn65hvd230qsn65hvd231q的质量 无动力节点不会干扰总线 符合iso 11898标准的要求 低电流sn65hvd230q待机模式370µA典型 低电流sn65hvd231q休眠模式0.1µA典型值 设计用于高达1兆位/秒(mbps)的信令速率 过温度保护
Image:           SN65HVD232Q SN65HVD232Q Texas Instruments 半导体 接口 合格汽车应用 根据mil-std-883方法3015esd保护超过2000 V; 使用机器型号时超过200 V(C=200 pF,R=0) 使用3.3伏电源供电 pca82c250占地面积的低功耗替代品 总线/引脚esd保护超过15 kV hbm 改善信号的受控驱动器输出转换时间 sn65hvd230qsn65hvd231q的质量 无动力节点不会干扰总线 符合iso 11898标准的要求 低电流sn65hvd230q待机模式370µA典型 低电流sn65hvd231q休眠模式0.1µA典型值 设计用于高达1兆位/秒(mbps)的信令速率 过温度保护
Image:            SN65HVD231Q-Q1 SN65HVD231Q-Q1 Texas Instruments 光电子 光纤 - 收发器 适合汽车应用 根据mil-std-883方法3015esd保护超过2000 V; 使用机器型号时超过200 V(C=200 pF,R=0) 使用3.3伏电源供电 pca82c250占地面积的低功耗替代品 总线/引脚esd保护超过15 kV hbm 改善信号的受控驱动器输出转换时间 sn65hvd230qsn65hvd231q的质量 无动力节点不会干扰总线 符合iso 11898标准的要求 低电流sn65hvd230q待机模式370µA典型 低电流sn65hvd231q休眠模式0.1µA典型值 设计用于高达1兆位/秒(mbps)的信令速率 过温度保护 开路故障安全设计
Image:            SN65HVD232Q-Q1 SN65HVD232Q-Q1 Texas Instruments 光电子 光纤 - 收发器 适合汽车应用 根据mil-std-883方法3015esd保护超过2000 V; 使用机器型号时超过200 V(C=200 pF,R=0) 使用3.3伏电源供电 pca82c250占地面积的低功耗替代品 总线/引脚esd保护超过15 kV hbm 改善信号的受控驱动器输出转换时间 sn65hvd230qsn65hvd231q的质量 无动力节点不会干扰总线 符合iso 11898标准的要求 低电流sn65hvd230q待机模式370µA典型 低电流sn65hvd231q休眠模式0.1µA典型值 设计用于高达1兆位/秒(mbps)的信令速率 过温度保护 开路故障安全设计
Image:            SN65HVD230Q-Q1 SN65HVD230Q-Q1 Texas Instruments 光电子 光纤 - 收发器 适合汽车应用 根据mil-std-883方法3015esd保护超过2000 V; 使用机器型号时超过200 V(C=200 pF,R=0) 使用3.3伏电源供电 pca82c250占地面积的低功耗替代品 总线/引脚esd保护超过15 kV hbm 改善信号的受控驱动器输出转换时间 sn65hvd230qsn65hvd231q的质量 无动力节点不会干扰总线 符合iso 11898标准的要求