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Image: ADuM4122 ADuM4122 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 每个输出引脚 2 A 输出电流 (<3 Ω rdson_x) 3 A 峰值短路电流 3.3 V 至 6.5 V、vdd1 4.5 V 至 35 V、vdd2 正向阈值，uvlo（3.3 V vdd1 时） vdd2 上存在多个正向阈值 uvlo 选项 A 级：4.4 V（典型值）正向阈值，uvlo B 级：7.3 V（典型值）正向阈值，uvlo C 级：11.3 V（典型值）正向阈值，uvlo 精准定时特性 下降缘传播延迟最大 48 ns cmos 输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度：>150 kV/µs 高工作结温：125°C 默认低电平输出 可选择的压摆率控制 安全和监管审批（申请中） UL 认证：符合 UL 1577 5 kV rms 持续 1 分钟 csa 元件验收通知 5A vde 符合性证书（申请中） din V vde V 0884-10 viorm = 849 V 峰值 8 引脚宽体 soic_ic 封装
Image: ADuM4120-1 ADuM4120-1 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 2.3 A 峰值输出电流 (<2 Ω rdson_x) 2.5 V 到 6.5 V vdd1 输入 4.5V 到 35 V vdd2 输出 2.3 V vdd1 时欠压锁定 (uvlo) vdd2 上存在多个欠压锁定 (uvlo) 选项 A 级—4.4 V（典型值）正向阈值 B 级—7.3 V（典型值）正向阈值 C 级—11.3 V（典型值）正向阈值 精准定时特性 隔离器和驱动器下降缘传播延迟最大 79 ns (adum4120) cmos 输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度：150 kV/μs 高工作结温：125°C 默认低电平输出 安全和监管审批（申请中） UL 认证：符合 UL 1577 1 分钟 5 kV rms，soic 长封装 csa 元件验收通知 5A vde 符合性证书（申请中） din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10):2006-12 viorm = 849 V 峰值 8 mm 爬电距离 6 引脚宽体 soic 封装，爬电距离更长
Image: ADuM4120 ADuM4120 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 2.3 A 峰值输出电流 (<2 Ω rdson_x) 2.5 V 到 6.5 V vdd1 输入 4.5V 到 35 V vdd2 输出 2.3 V vdd1 时欠压锁定 (uvlo) vdd2 上存在多个欠压锁定 (uvlo) 选项 A 级—4.4 V（典型值）正向阈值 B 级—7.3 V（典型值）正向阈值 C 级—11.3 V（典型值）正向阈值 精准定时特性 隔离器和驱动器下降缘传播延迟最大 79 ns (adum4120) cmos 输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度：150 kV/μs 高工作结温：125°C 默认低电平输出 安全和监管审批（申请中） UL 认证：符合 UL 1577 1 分钟 5 kV rms，soic 长封装 csa 元件验收通知 5A vde 符合性证书（申请中） din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10):2006-12 viorm = 849 V 峰值 8 mm 爬电距离 6 引脚宽体 soic 封装，爬电距离更长
Image: ADuM4120 ADuM4120 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 2.3 A 峰值输出电流 (<2 Ω rdson_x) 2.5 V 到 6.5 V vdd1 输入 4.5V 到 35 V vdd2 输出 2.3 V vdd1 时欠压锁定 (uvlo) vdd2 上存在多个欠压锁定 (uvlo) 选项 A 级—4.4 V（典型值）正向阈值 B 级—7.3 V（典型值）正向阈值 C 级—11.3 V（典型值）正向阈值 精准定时特性 隔离器和驱动器下降缘传播延迟最大 79 ns (adum4120) cmos 输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度：150 kV/μs 高工作结温：125°C 默认低电平输出 安全和监管审批（申请中） UL 认证：符合 UL 1577 1 分钟 5 kV rms，soic 长封装 csa 元件验收通知 5A vde 符合性证书（申请中） din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10):2006-12 viorm = 849 V 峰值 8 mm 爬电距离 6 引脚宽体 soic 封装，爬电距离更长
Image: ADuM4120-1 ADuM4120-1 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 2.3 A 峰值输出电流 (<2 Ω rdson_x) 2.5 V 到 6.5 V vdd1 输入 4.5V 到 35 V vdd2 输出 2.3 V vdd1 时欠压锁定 (uvlo) vdd2 上存在多个欠压锁定 (uvlo) 选项 A 级—4.4 V（典型值）正向阈值 B 级—7.3 V（典型值）正向阈值 C 级—11.3 V（典型值）正向阈值 精准定时特性 隔离器和驱动器下降缘传播延迟最大 79 ns (adum4120) cmos 输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度：150 kV/μs 高工作结温：125°C 默认低电平输出 安全和监管审批（申请中） UL 认证：符合 UL 1577 1 分钟 5 kV rms，soic 长封装 csa 元件验收通知 5A vde 符合性证书（申请中） din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10):2006-12 viorm = 849 V 峰值 8 mm 爬电距离 6 引脚宽体 soic 封装，爬电距离更长
Image: ADuM4122 ADuM4122 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 每个输出引脚 2 A 输出电流 (<3 Ω rdson_x) 3 A 峰值短路电流 3.3 V 至 6.5 V、vdd1 4.5 V 至 35 V、vdd2 正向阈值，uvlo（3.3 V vdd1 时） vdd2 上存在多个正向阈值 uvlo 选项 A 级：4.4 V（典型值）正向阈值，uvlo B 级：7.3 V（典型值）正向阈值，uvlo C 级：11.3 V（典型值）正向阈值，uvlo 精准定时特性 下降缘传播延迟最大 48 ns
Image: DRV10866 DRV10866 Texas Instruments 机电产品 电机与驱动器 输入电压范围：1.65v 至 5.5V 六个峰值输出电流为 680ma 的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (mosfet) 超低静态电流：待机模式下为 5µA（典型值） 总体驱动器 H+L rdson900mΩ 无传感器私有 bmef 控制系统配置 150°整流 同步整流脉宽调制 (pwm) 操作 可选 FG 和 ½ FG 开漏输出 15khz 至 50khz 的 pwmIN输入 锁定检测

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