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Image: LET9045C LET9045C STMicroelectronics 半导体 晶体管 let9045c是一种共源N沟道增强模式横向场效应射频功率晶体管，设计用于频率高达1.0ghz的宽带商业和工业应用。let9045c设计用于在28 V共源模式下工作的高增益和宽带性能。它是要求高线性度的基站应用的理想选择。 主要特性 优异的热稳定性 公共源配置 pout（@28 V）=45 W，在960 mhz时增益为18.5 dB pout（@36v）=70 W，在960 mhz时增益为18.5 dB beo免费套餐 符合2002/95/EC欧洲指令
Image: LET9045F LET9045F STMicroelectronics 半导体 晶体管 let9045f是一种共源n沟道增强模式横向场效应射频功率晶体管，设计用于频率高达1.0ghz的宽带商业和工业应用。let9045f设计用于在28 V共源模式下工作的高增益和宽带性能。它是要求高线性度的基站应用的理想选择。 主要特性 优异的热稳定性 公共源配置 pout（@28 V）=45 W，在960 mhz时增益为18.5 dB pout（@36v）=70 W，在960 mhz时增益为18.5 dB beo免费套餐 符合2002/95/EC欧洲指令
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Image: TGC4406-SM-T/R TGC4406-SM-T/R TriQuint Semiconductor 半导体 射频半导体 RF amplifier IN 14-17ghz dblr pout 20dbm Gn 15db
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Image: ZM357S-USB ZM357S-USB CEL 嵌入式解决方案 射频/无线模块 zigbee / 802.15.4 modules em357 IC usb pout 8dbm
Image: ZM357S-USB-LR ZM357S-USB-LR CEL 嵌入式解决方案 射频/无线模块 zigbee / 802.15.4 modules em357 IC usb pout 20dbm
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