关键词pd54008l
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| 图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
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PD54008L-E | STMicroelectronics | 半导体 晶体管 | PD54008L-E是一种共源N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管。它是为高增益，宽带商业和工业应用而设计的。它以7伏的共源模式工作，频率高达1千兆赫。PD54008L-E拥有sth1lv最新ldmos技术的卓越增益、线性度和可靠性，安装在创新的无铅smd塑料封装中，powerflat™. pde-540是便携式无线电性能的理想解决方案。 | |
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AB-54008L-175 | STMicroelectronics | 2 stages RF power amp: pd84001-E + pd54008l-E + lpf N-channel enhancement-mode lateral mosfets |
