关键词pch
- 标准
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图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
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UT6JA2 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | -30v pch + pch中功率mosfet_ut6ja2 ut6ja2是小型表面安装封装且低导通电阻的适用于开关用途的mosfet。 | |
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UT6J3 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | -20v pch + pch功率mosfet_ut6j3 ut6j3是低导通电阻的功率mosfet。采用小型表面安装封装,有助于节省空间。 | |
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US6J12 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | -12v pch + pch小信号mosfet_us6j12 us6j12是最适合开关用途的低导通电阻mosfet。 | |
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QS8J13 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | -12v pch + pch中功率mosfet_qs8j13 qs8j13是低导通电阻的中功率mosfet。采用小型表面安装封装,有助于节省空间。 | |
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QH8JA1 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | -20v pch + pch中功率mosfet_qh8ja1 qh8ja1是将2个低导通电阻的中功率mosfet复合的,小型表面安装封装的mosfet。 | |
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QS8M51 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 100v nch + pch小信号mosfet_QS8M51 电导率晶体管mosfet。复合各颗pch和nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中可应用的功率mosfet,并结合用途,以多样的小型高功率复合材料型的产品线对应多种市场需求。 | |
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QS8M31 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 60v nch + pch mosfet_QS8M31 电导率晶体管mosfet。复合各颗pch和nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中可应用的功率mosfet,并结合用途,以多样的小型高功率复合材料型的产品线对应多种市场需求。 | |
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QS6M4 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 2.5V驱动nch + pch mosfet_QS6M4 电导率晶体管mosfet。复合各颗pch和nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中可应用的功率mosfet,并结合用途,以多样的小型高功率复合材料型的产品线对应多种市场需求。 | |
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EM6M2 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 1.2V驱动nch + pch mosfet_EM6M2 电导率晶体管mosfet。复合各颗pch和nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中可应用的功率mosfet,并结合用途,以多样的小型高功率复合材料型的产品线对应多种市场需求。 | |
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RSJ151P10 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 4V驱动型pch mosfet_RSJ151P10 4V驱动pch mosfet | |
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RW4E045AT | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | pch -30v -4.5A功率mosfet_rw4e045at (新产品) rw4e045at是适合开关,DC / DC转换器和电池开关用途的pch -30v功率mosfet。 | |
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VT6M1 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 1.2V驱动nch + pch mosfet_VT6M1 电导率晶体管mosfet。复合各颗pch和nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中可应用的功率mosfet,并结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | |
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US6M2 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 2.5V驱动nch + pch mosfet_US6M2 电势效应晶体管mosfet。复合各颗nch和pch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中可应用的功率mosfet,并结合用途,以多样的小型高功率复合材料型的产品线对应多种市场需求。 | |
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6M11 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 1.5V驱动nch + pch mosfet_US6M11 电导率晶体管mosfet。复合各颗pch和nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中可应用的功率mosfet,并结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | |
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SH8M24 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管(BJT) - 阵列 | 4V驱动nch + pch mosfet_SH8M24 电导率晶体管mosfet。复合各颗pch和nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中可应用的功率mosfet,并结合用途,以多样的小型高功率复合材料型的产品线对应多种市场需求。 | |
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QS8M51 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 100v nch + pch小信号mosfet_QS8M51 电导率晶体管mosfet。复合各颗pch和nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中可应用的功率mosfet,并结合用途,以多样的小型高功率复合材料型的产品线对应多种市场需求。 | |
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QS8M31 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 60v nch + pch mosfet_QS8M31 电导率晶体管mosfet。复合各颗pch和nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中可应用的功率mosfet,并结合用途,以多样的小型高功率复合材料型的产品线对应多种市场需求。 | |
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QS6M4 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 2.5V驱动nch + pch mosfet_QS6M4 电导率晶体管mosfet。复合各颗pch和nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中可应用的功率mosfet,并结合用途,以多样的小型高功率复合材料型的产品线对应多种市场需求。 | |
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EM6M2 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 1.2V驱动nch + pch mosfet_EM6M2 电导率晶体管mosfet。复合各颗pch和nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中可应用的功率mosfet,并结合用途,以多样的小型高功率复合材料型的产品线对应多种市场需求。 | |
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HS8MA2 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管(BJT) - 阵列 | 30v双共漏极pch + nch功率mosfet_hs8ma2 (新产品) hs8ma2在紧凑且对称的dfn封装中内置共插入的30v pch + nch mosfet。适合开关,电机驱动电路用途。 |