关键词mosfet
- 标准
图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
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RUC002N05 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 1.2V驱动nch mosfet_RUC002N05 电边界效应晶体管的mosfet。种市场需求。 | ||
RU1L002SN | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 2.5V驱动nch mosfet_RU1L002SN 电边界效应晶体管的mosfet。种市场需求。 | ||
RU1J002YN | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 0.9V驱动nch mosfet_RU1J002YN 电边界效应晶体管的mosfet。种市场需求。 | ||
RU1C002UN | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 1.2V驱动nch mosfet_RU1C002UN 电边界效应晶体管的mosfet。种市场需求。 | ||
RU1C001UN | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 1.2V驱动nch mosfet_RU1C001UN 电边界效应晶体管的mosfet。种市场需求。 | ||
RTQ020N05 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 2.5V驱动nch mosfet_RTQ020N05 电界效应晶体管的mosfet。需求。 | ||
RTQ020N03 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 2.5V驱动nch mosfet_RTQ020N03 电界效应晶体管的mosfet。需求。 | ||
RTL035N03 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 2.5V驱动nch mosfet_RTL035N03 电界效应晶体管的mosfet。需求。 | ||
RTF016N05 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 2.5V驱动nch mosfet_RTF016N05 电界效应晶体管的mosfet。提供通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet,并结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | ||
RSR025N05 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 4V驱动nch mosfet_RSR025N05 电界效应晶体管的mosfet。提供通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet,并结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | ||
RSQ020N03 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 4V驱动nch mosfet_RSQ020N03 电界效应晶体管的mosfet。需求。 | ||
RSQ015N06 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 4V驱动nch mosfet_RSQ015N06 电界效应晶体管的mosfet。需求。 | ||
RSM002N06 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 2.5V驱动nch mosfet_RSM002N06 电界效应晶体管的mosfet。提供通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet,并结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | ||
RSJ650N10 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 4V驱动nch mosfet_RSJ650N10 电界效应晶体管的mosfet。提供通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet,并结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | ||
RSJ550N10 | Rohm Semiconductor | 半导体 TMS320TCIx无线基础设施 | 4V驱动nch mosfet_RSJ550N10 电界效应晶体管的mosfet。提供通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet,并结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | ||
RSJ400N10 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 4V驱动nch mosfet_RSJ400N10 电界效应晶体管的mosfet。提供通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet,并结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | ||
RSJ301N10 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | nch 100v 30a功率mosfet_rsj301n10 rsj301n10是用于开关应用的低导通电阻和小型表面贴装封装mosfet。 | ||
RSH070N05 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 4V驱动nch mosfet_RSH070N05 电界效应晶体管的mosfet。需求。 | ||
RSH065N06 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 4V驱动nch mosfet_RSH065N06 电界效应晶体管的mosfet。需求。 | ||
RSF015N06 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 4V驱动nch mosfet_RSF015N06 电界效应晶体管的mosfet。提供通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet,并结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 |