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Image: BM2P054F BM2P054F Rohm Semiconductor 电源 AC DC 转换器 pwm type DC/DC converter IC included 650v mosfet_BM2P054F AC/DC用pwm方式DC/DC转换器bm2pxx4f为所有存在插口的产品提供最佳的系统。绝缘、非绝缘均可对应，可轻松设计各种形式的低功耗转换器。内置650v耐压启动电路，有助于实现低功耗。外接开关用电流检测电阻，可实现高自由度的电源设计。使用电流模式控制，进行逐周期电流限制，发挥带宽和瞬态响应的优异性能。开关频率固定为65khz。轻负载时降低频率，实现高效率。内置跳频功能，有助于实现低emi。内置650v耐压mosfet，设计简便。
Image: BM2P054 BM2P054 Rohm Semiconductor 电源 AC DC 转换器 随附pwm型DC / DC转换器IC 650v mosfet_BM2P054 AC / DC用pwm方式DC / DC转换器bm2pxx4为所有存在插口的产品提供最佳的系统。绝缘，非绝缘对应，可轻松设计各种形式的低转换器。内置650v耐压启动电路，有助于实现低功耗。外接开关用电流检测电阻，可实现高自由度的电源设计。使用电流模式控制，进行逐周期电流限制，发挥出最大的瞬态响应的优越性能。开关频率固定为65khz。轻负载时降低频率，实现高效率。内置跳频功能，实现低emi。内置650v耐压mosfet，设计功率。
Image: BM2P053F BM2P053F Rohm Semiconductor 电源 AC DC 转换器 随附pwm型DC / DC转换器IC 650v mosfet_BM2P053F AC / DC用pwm方式DC / DC转换器bm2pxx3f为所有存在插口的产品提供最佳的系统。绝缘，非绝缘对应，可轻松设计各种形式的低功耗转换器。 内置650v耐压启动电路，有助于实现低功耗。外接开关用电流检测电阻，可实现高自由度的电源设计。使用电流模式控制，进行逐周期电流限制，发挥出最大的瞬态响应的优越性能。开关频率固定为65khz。 轻载时降低频率，实现高效率。内置跳频功能，实现低emi。内置650v耐压mosfet，设计功率。
Image: BM2P053 BM2P053 Rohm Semiconductor 电源 AC DC 转换器 随附pwm型DC / DC转换器IC 650v mosfet_BM2P053 AC / DC用pwm方式DC / DC转换器bm2pxx3为所有存在插口的产品提供最佳的系统。绝缘，非绝缘对应，可轻松设计各种形式的低转换器。 内置650v耐压启动电路，有助于实现低功耗。外接开关用电流检测电阻，可实现高自由度的电源设计。使用电流模式控制，进行逐周期电流限制，发挥出最大的瞬态响应的优越性能。开关频率固定为65khz。 轻载时降低频率，实现高效率。内置跳频功能，实现低emi。内置650v耐压mosfet，设计功率。
Image: BM2P052F BM2P052F Rohm Semiconductor 电源 AC DC 转换器 随附pwm型DC / DC转换器IC 650v mosfet_BM2P052F AC / DC用pwm方式DC / DC转换器bm2pxx2f为所有存在插口的产品提供最佳的系统。绝缘，非绝缘对应，可轻松设计各种形式的低功耗转换器。 内置650v耐压启动电路，有助于实现低功耗。外接开关用电流检测电阻，可实现高自由度的电源设计。使用电流模式控制，进行逐周期电流限制，发挥出最大的瞬态响应的优越性能。开关频率固定为65khz。 轻载时降低频率，实现高效率。内置跳频功能，实现低emi。内置650v耐压mosfet，设计功率。
Image: BM2P052 BM2P052 Rohm Semiconductor 电源 AC DC 转换器 随附pwm型DC / DC转换器IC 650v mosfet_BM2P052 AC / DC用pwm方式DC / DC转换器bm2pxx2为所有存在插口的产品提供最佳的系统。绝缘，非绝缘对应，可轻松设计各种形式的低转换器。 内置650v耐压启动电路，有助于实现低功耗。外接开关用电流检测电阻，可实现高自由度的电源设计。使用电流模式控制，进行逐周期电流限制，发挥出最大的瞬态响应的优越性能。开关频率固定为65khz。 轻载时降低频率，实现高效率。内置跳频功能，实现低emi。内置650v耐压mosfet，设计功率。
Image: BM2P051F BM2P051F Rohm Semiconductor 电源 AC DC 转换器 随附pwm型DC / DC转换器IC 650v mosfet_BM2P051F AC / DC用pwm方式DC / DC转换器bm2pxx1f为所有存在插口的产品提供最佳的系统。绝缘，非绝缘对应，可轻松设计各种形式的低转换器。 内置650v耐压启动电路，有助于实现低功耗。外接开关用电流检测电阻，可实现高自由度的电源设计。为65khz。 轻负载时降低频率，实现高效率。内置跳频功能，实现低emi。内置650v耐压mosfet，设计功率。
Image: BM2P051 BM2P051 Rohm Semiconductor 电源 AC DC 转换器 随附pwm型DC / DC转换器IC 650v mosfet_BM2P051 AC / DC用pwm方式DC / DC转换器bm2pxx1为所有存在插口的产品提供最佳的系统。绝缘，非绝缘对应，可轻松设计各种形式的低转换器。 内置650v耐压启动电路，有助于实现低功耗。外接开关用电流检测电阻，可实现高自由度的电源设计。使用电流模式控制，进行逐周期电流限制，发挥出最大的瞬态响应的优越性能。开关频率固定为65khz。 轻载时降低频率，实现高效率。内置跳频功能，实现低emi。内置650v耐压mosfet，设计功率。
Image: BM2P0391-Z BM2P0391-Z Rohm Semiconductor 电源 AC DC 转换器 随附pwm型DC / DC转换器IC 650v MOSFET_bm2p0391-Z 用于AC / DC的pwm型DC / DC转换器bm2p0391-Z为包括电源插座的所有产品提供了最佳系统。bm2p0391-Z支持隔离和非隔离设备，从而简化了各种类型的低功率电气转换器的设计。bm2p0391-Z内置可承受650v电压的HV启动器电路，有助于降低功耗。通过将电流检测电阻器用作外部设备，可以实现更高的设计自由度。开关频率采用固定系统。由于采用电流模式控制，因此在每个周期中都受到电流的限制，并且在带宽和瞬态响应方面表现出出色的性能。开关频率为100khz。在轻负载下，开关频率降低，并且实现了高效率。片上还具有跳频功能，有助于降低emi。
Image: BM2P039-Z BM2P039-Z Rohm Semiconductor 电源 AC DC 转换器 随附pwm型DC / DC转换器IC 650v MOSFET_bm2p039-Z AC / DC用pwm方式DC / DC转换器bm2p039-Z为所有存在插口的产品提供最佳的系统。绝缘，非绝缘等效，可轻松设计各种形式的低功耗转换器。内置650v耐压压开关电路，有助于实现低功耗。外接开关用电流检测电阻，可实现高自由度的电源设计。使用电流模式控制，可进行逐周期电流限制，发挥带宽和瞬态响应的优异性能。开关频率固定为100khz。轻负载时降低频率，实现高效率。内置跳频功能，有助于实现低emi。
Image: BM2P034 BM2P034 Rohm Semiconductor 电源 AC DC 转换器 随附pwm型DC / DC转换器IC 650v mosfet_BM2P034 AC / DC用pwm方式DC / DC转换器bm2pxx4为所有存在插口的产品提供最佳的系统。绝缘，非绝缘对应，可轻松设计各种形式的低转换器。内置650v耐压启动电路，有助于实现低功耗。外接开关用电流检测电阻，可实现高自由度的电源设计。使用电流模式控制，进行逐周期电流限制，发挥出最大的瞬态响应的优越性能。开关频率固定为65khz。轻负载时降低频率，实现高效率。内置跳频功能，实现低emi。内置650v耐压mosfet，设计功率。
Image: BM2P033 BM2P033 Rohm Semiconductor 电源 AC DC 转换器 随附pwm型DC / DC转换器IC 650v mosfet_BM2P033 AC / DC用pwm方式DC / DC转换器bm2pxx3为所有存在插口的产品提供最佳的系统。绝缘，非绝缘对应，可轻松设计各种形式的低转换器。 内置650v耐压启动电路，有助于实现低功耗。外接开关用电流检测电阻，可实现高自由度的电源设计。使用电流模式控制，进行逐周期电流限制，发挥出最大的瞬态响应的优越性能。开关频率固定为65khz。 轻载时降低频率，实现高效率。内置跳频功能，实现低emi。内置650v耐压mosfet，设计功率。
Image: BM2P032 BM2P032 Rohm Semiconductor 电源 AC DC 转换器 随附pwm型DC / DC转换器IC 650v mosfet_BM2P032 AC / DC用pwm方式DC / DC转换器bm2pxx2为所有存在插口的产品提供最佳的系统。绝缘，非绝缘对应，可轻松设计各种形式的低转换器。 内置650v耐压启动电路，有助于实现低功耗。外接开关用电流检测电阻，可实现高自由度的电源设计。使用电流模式控制，进行逐周期电流限制，发挥出最大的瞬态响应的优越性能。开关频率固定为65khz。 轻载时降低频率，实现高效率。内置跳频功能，实现低emi。内置650v耐压mosfet，设计功率。
Image: BM2P031 BM2P031 Rohm Semiconductor 电源 AC DC 转换器 随附pwm型DC / DC转换器IC 650v mosfet_BM2P031 AC / DC用pwm方式DC / DC转换器bm2pxx1为所有存在插口的产品提供最佳的系统。绝缘，非绝缘对应，可轻松设计各种形式的低转换器。 内置650v耐压启动电路，有助于实现低功耗。外接开关用电流检测电阻，可实现高自由度的电源设计。使用电流模式控制，进行逐周期电流限制，发挥出最大的瞬态响应的优越性能。开关频率固定为65khz。 轻载时降低频率，实现高效率。内置跳频功能，实现低emi。内置650v耐压mosfet，设计功率。
Image: BM2P016T BM2P016T Rohm Semiconductor 电源 AC DC 转换器 随附pwm型DC / DC转换器IC 650v MOSFET_bm2p016t 用于AC / DC的pwm型DC / DC转换器（bm2p016t）为包括电源插座的所有产品提供了最佳系统。bm2p016t同时支持隔离和非隔离设备，从而简化了各种类型的低功耗电气转换器的设计。bm2p016t内置可承受650v电压的HV启动器电路，有助于降低功耗。使用用于开关的电流检测电阻作为外部设备，可以实现更高的设计自由度。由于采用电流模式控制，因此在每个周期中都受到电流的限制，并且在带宽和瞬态响应方面表现出出色的性能。开关频率为65 khz。在轻负载下，开关频率降低，并且实现了高效率。片上还具有跳频功能，有助于降低emi。我们可以轻松设计
Image: BM2P014 BM2P014 Rohm Semiconductor 电源 AC DC 转换器 随附pwm型DC / DC转换器IC 650v mosfet_BM2P014 AC / DC用pwm方式DC / DC转换器bm2pxx4为所有存在插口的产品提供最佳的系统。绝缘，非绝缘对应，可轻松设计各种形式的低转换器。内置650v耐压启动电路，有助于实现低功耗。外接开关用电流检测电阻，可实现高自由度的电源设计。使用电流模式控制，进行逐周期电流限制，发挥出最大的瞬态响应的优越性能。开关频率固定为65khz。轻负载时降低频率，实现高效率。内置跳频功能，实现低emi。内置650v耐压mosfet，设计功率。
Image: BM2P013 BM2P013 Rohm Semiconductor 电源 AC DC 转换器 随附pwm型DC / DC转换器IC 650v mosfet_BM2P013 AC / DC用pwm方式DC / DC转换器bm2pxx3为所有存在插口的产品提供最佳的系统。绝缘，非绝缘对应，可轻松设计各种形式的低转换器。 内置650v耐压启动电路，有助于实现低功耗。外接开关用电流检测电阻，可实现高自由度的电源设计。使用电流模式控制，进行逐周期电流限制，发挥出最大的瞬态响应的优越性能。开关频率固定为65khz。 轻载时降低频率，实现高效率。内置跳频功能，实现低emi。内置650v耐压mosfet，设计功率。
Image: BM2P012 BM2P012 Rohm Semiconductor 电源 AC DC 转换器 随附pwm型DC / DC转换器IC 650v mosfet_BM2P012 AC / DC用pwm方式DC / DC转换器bm2pxx2为所有存在插口的产品提供最佳的系统。绝缘，非绝缘对应，可轻松设计各种形式的低转换器。 内置650v耐压启动电路，有助于实现低功耗。外接开关用电流检测电阻，可实现高自由度的电源设计。使用电流模式控制，进行逐周期电流限制，发挥出最大的瞬态响应的优越性能。开关频率固定为65khz。 轻载时降低频率，实现高效率。内置跳频功能，实现低emi。内置650v耐压mosfet，设计功率。
Image: BM2P011 BM2P011 Rohm Semiconductor 电源 AC DC 转换器 随附pwm型DC / DC转换器IC 650v mosfet_BM2P011 AC / DC用pwm方式DC / DC转换器bm2pxx1为所有存在插口的产品提供最佳的系统。绝缘，非绝缘对应，可轻松设计各种形式的低转换器。 内置650v耐压启动电路，有助于实现低功耗。外接开关用电流检测电阻，可实现高自由度的电源设计。使用电流模式控制，进行逐周期电流限制，发挥出最大的瞬态响应的优越性能。开关频率固定为65khz。 轻载时降低频率，实现高效率。内置跳频功能，实现低emi。内置650v耐压mosfet，设计功率。
Image: RF4E080GN RF4E080GN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 4.5V驱动型nch mosfet_RF4E080GN 场效应晶体管mosfet。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率mosfet。 。

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