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Image: QS8J4 QS8J4 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 -30v pch + pch小信号mosfet_QS8J4 复合两颗pch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”，而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet，并结合用途，以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image: QS8J2 QS8J2 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 1.5V驱动pch + pch mosfet_QS8J2 复合两颗pch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”，而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet，并结合用途，以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image: QS8J13 QS8J13 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 -12v pch + pch中功率mosfet_qs8j13 qs8j13是低导通电阻的中功率mosfet。采用小型表面安装封装，有助于节省空间。
Image: QS6U24 QS6U24 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 4V驱动pch + sbd mosfet_QS6U24 通过融合采用细微流程的低阻值mosfet与肖特基二极管（sbd）形成了多种产品线来对应不同的市场需求。
Image: QS6U22 QS6U22 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 2.5V驱动pch + sbd mosfet_QS6U22 通过融合采用细微流程的低阻值mosfet与肖特基二极管（sbd）形成了多种产品线来对应不同的市场需求。
Image: QS6M4 QS6M4 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 2.5V驱动nch + pch mosfet_QS6M4 电导率晶体管mosfet。复合各颗pch和nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”，而在广泛领域中可应用的功率mosfet，并结合用途，以多样的小型高功率复合材料型的产品线对应多种市场需求。
Image: QS6K21 QS6K21 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管(BJT) - 阵列 2.5V驱动nch + nch mosfet_QS6K21 复合两颗nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”，而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet，并结合用途，以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image: QS6K1 QS6K1 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 2.5V驱动nch + nch mosfet_QS6K1 复合两颗nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”，而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet，并结合用途，以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image: QS6J11 QS6J11 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 1.5V驱动pch + pch mosfet_QS6J11 复合两颗pch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”，而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet，并结合用途，以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image: QS6J1 QS6J1 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管(BJT) - 阵列 2.5V驱动pch + pch mosfet_QS6J1 复合两颗pch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”，而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet，并结合用途，以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image: QS5U36 QS5U36 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 1.5V驱动nch + sbd mosfet_QS5U36 通过融合采用细微流程的低阻值mosfet与肖特基二极管（sbd）形成了多种产品线来对应不同的市场需求。
Image: QS5U34 QS5U34 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 1.8V驱动nch + sbd mosfet_QS5U34 通过融合采用细微流程的低阻值mosfet与肖特基二极管（sbd）形成了多种产品线来对应不同的市场需求。
Image: QS5U33 QS5U33 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管(BJT) - 阵列 4V驱动pch + sbd mosfet_QS5U33 通过融合采用细微流程的低阻值mosfet与肖特基二极管（sbd）形成了多种产品线来对应不同的市场需求。
Image: QS5U28 QS5U28 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 2.5V驱动pch + sbd mosfet_QS5U28 通过融合采用细微流程的低阻值mosfet与肖特基二极管（sbd）形成了多种产品线来对应不同的市场需求。
Image: QS5U27 QS5U27 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 2.5V驱动pch + sbd mosfet_QS5U27 通过融合采用细微流程的低阻值mosfet与肖特基二极管（sbd）形成了多种产品线来对应不同的市场需求。
Image: QS5U26 QS5U26 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 2.5V驱动pch + sbd mosfet_QS5U26 通过融合采用细微流程的低阻值mosfet与肖特基二极管（sbd）形成了多种产品线来对应不同的市场需求。
Image: QS5U23 QS5U23 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 2.5V驱动pch + sbd mosfet_QS5U23 通过融合采用细微流程的低阻值mosfet与肖特基二极管（sbd）形成了多种产品线来对应不同的市场需求。
Image: QS5U21 QS5U21 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 2.5V驱动pch + sbd mosfet_QS5U21 通过融合采用细微流程的低阻值mosfet与肖特基二极管（sbd）形成了多种产品线来对应不同的市场需求。
Image: QS5U17 QS5U17 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管(BJT) - 阵列 2.5V驱动nch + sbd mosfet_QS5U17 通过融合采用细微流程的低阻值mosfet与肖特基二极管（sbd）形成了多种产品线来对应不同的市场需求。
Image: QS5U16 QS5U16 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 2.5V驱动nch + sbd mosfet_QS5U16 通过融合采用细微流程的低阻值mosfet与肖特基二极管（sbd）形成了多种产品线来对应不同的市场需求。

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