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Image: RAF040P01 RAF040P01 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 1.5V驱动pch mosfet_RAF040P01 电界效应晶体管的mosfet。通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet，并结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image: RW4E045AT RW4E045AT Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 pch -30v -4.5A功率mosfet_rw4e045at （新产品） rw4e045at是适合开关，DC / DC转换器和电池开关用途的pch -30v功率mosfet。
Image: RW4C045BC RW4C045BC Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 pch -20v -4.5A功率mosfet_rw4c045bc （新产品） rw4c045bc是适用于开关，DC / DC转换器，电池开关的功率mosfet。
Image: BSS84 BSS84 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 pch -60v -0.23a小信号mosfet_bss84 （新产品） bss84在sot-23封装中内置单通道-60v -0.23a mosfet和esd保护二极管。适合高边负载开关，开关电路，继电器驱动器用途。
Image: VT6M1 VT6M1 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 1.2V驱动nch + pch mosfet_VT6M1 电导率晶体管mosfet。复合各颗pch和nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”，而在广泛领域中可应用的功率mosfet，并结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image: VT6K1 VT6K1 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 1.2V驱动nch + nch mosfet_VT6K1 复合两颗nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”，而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet，并结合用途，以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image: VT6J1 VT6J1 Rohm Semiconductor 半导体 TMS320TCIx无线基础设施 1.2V驱动pch + pch mosfet_VT6J1 复合两颗pch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”，而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet，并结合用途，以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image: UT6MA3 UT6MA3 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 20v nch + pch中功率mosfet_ut6ma3 ut6ma3是适用于开关用途的，低导通电阻的中功率mosfet。
Image: UT6MA2 UT6MA2 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 30v nch + pch中功率mosfet_ut6ma2 ut6ma2是适用于开关用途的小型表面安装封装的mosfet。
Image: UT6K3 UT6K3 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 30v nch + nch中功率mosfet_ut6k3 ut6k3是面向负载开关和便携式设备用电池，DC / DC转换器用途的中功率mosfet。
Image: UT6JA3 UT6JA3 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 -20v pch + pch功率mosfet_ut6ja3 ut6ja3是低导通电阻的功率mosfet。最适合开关用途。
Image: UT6JA2 UT6JA2 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 -30v pch + pch中功率mosfet_ut6ja2 ut6ja2是小型表面安装封装且低导通电阻的适用于开关用途的mosfet。
Image: UT6J3 UT6J3 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 -20v pch + pch功率mosfet_ut6j3 ut6j3是低导通电阻的功率mosfet。采用小型表面安装封装，有助于节省空间。
Image: US6M2 US6M2 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 2.5V驱动nch + pch mosfet_US6M2 电势效应晶体管mosfet。复合各颗nch和pch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”，而在广泛领域中可应用的功率mosfet，并结合用途，以多样的小型高功率复合材料型的产品线对应多种市场需求。
Image: 6M11 6M11 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 1.5V驱动nch + pch mosfet_US6M11 电导率晶体管mosfet。复合各颗pch和nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”，而在广泛领域中可应用的功率mosfet，并结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image: 美国6M1 美国6M1 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 4V驱动nch + 2.5V Drivepch mosfet_US6M1 电导率晶体管mosfet。复合各颗pch和nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”，而在广泛领域中可应用的功率mosfet，并结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image: US6K4 US6K4 Rohm Semiconductor 半导体 TMS320TCIx无线基础设施 1.8V驱动nch + nch mosfet_US6K4 复合两颗nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”，而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet，并结合用途，以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image: US6K2 US6K2 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 4V驱动nch + nch mosfet_US6K2 复合两颗nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”，而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet，并结合用途，以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image: US6K1 US6K1 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 2.5V驱动nch + nch mosfet_US6K1 复合两颗nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”，而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet，并结合用途，以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image: US6J12 US6J12 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 -12v pch + pch小信号mosfet_us6j12 us6j12是最适合开关用途的低导通电阻mosfet。

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