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Image: RS1L145GN RS1L145GN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 nch 60v 47a功率MOSFET_rs1l145gn rs1l145gn是高可靠性晶体管，适用于开关应用。
Image: RS1L120GN RS1L120GN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 nch 60v 36a功率mosfet_rs1l120gn rs1l120gn是低导通电阻，大功率封装的开关用mosfet。
Image: RS1G300GN RS1G300GN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 nch 40v 80a功率mosfet_rs1g300gn rs1g300gn是nch 40v 30a的功率mosfet，适用于高效率DC / DC转换器和电机驱动器。
Image: RS1G260MN RS1G260MN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 nch 40v 80a功率mosfet_RS1G260MN 场效应晶体管mosfet。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率mosfet。根据用途备有小型，大功率，复合化的丰富产品规模，可满足多样的市场需求。
Image: RS1G180MN RS1G180MN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管(BJT) - 阵列 4.5V驱动型nch mosfet_RS1G180MN 场效应晶体管mosfet。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率mosfet。根据用途备有小型，大功率，复合化的丰富产品规模，可满足多样的市场需求。
Image: RS1G150MN RS1G150MN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 nch 40v 43a功率mosfet_RS1G150MN 场效应晶体管mosfet。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率mosfet。根据用途备有小型，大功率，复合化的丰富产品规模，可满足多样的市场需求。
Image: RS1G120MN RS1G120MN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管(BJT) - 阵列 nch 40v 34a功率mosfet_RS1G120MN 场效应晶体管mosfet。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率mosfet。根据用途备有小型，大功率，复合化的丰富产品规模，可满足多样的市场需求。
Image: RS1E350GN RS1E350GN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 nch 30v 80a功率mosfet_RS1E350GN 场效应晶体管mosfet。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率mosfet。根据用途备有小型，大功率，复合化的丰富产品规模，可满足多样的市场需求。
Image: RS1E350BN RS1E350BN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 nch 30v 80a功率mosfet_rs1e350bn rs1e350bn是低导通电阻，小型大功率封装的mosfet。
Image: RS1E321GN RS1E321GN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 nch 30v 80a功率mosfet_rs1e321gn rs1e321gn是一款具有低导通电阻和高功率封装的功率mosfet，适用于开关。
Image: RS1E301GN RS1E301GN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 nch 30v 80a功率mosfet_rs1e301gn rs1e301gn是一款具有低导通电阻和高功率封装的功率mosfet，适用于开关。
Image: RS1E281BN RS1E281BN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 nch 30v 80a功率mosfet_rs1e281bn rs1e281bn是用于开关应用的低导通电阻和高功率小模具封装mosfet。
Image: RS1E280GN RS1E280GN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 4.5V驱动型nch mosfet_RS1E280GN 场效应晶体管mosfet。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率mosfet。根据用途备有小型，大功率，复合化的丰富产品规模，可满足多样的市场需求。
Image: RS1E280BN RS1E280BN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 nch 30v 28a中功率mosfet_rs1e280bn rs1e280bn是低导通电阻，小型大功率封装的mosfet。
Image: RS1E240GN RS1E240GN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 4.5V驱动型nch mosfet_RS1E240GN 场效应晶体管mosfet。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率mosfet。根据用途备有小型，大功率，复合化的丰富产品规模，可满足多样的市场需求。
Image: RS1E240BN RS1E240BN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 nch 30v 24a中功率mosfet_rs1e240bn rs1e240bn是低导通电阻，小型大功率封装的mosfet。
Image: RS1E200GN RS1E200GN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 4.5V驱动型nch mosfet_RS1E200GN 场效应晶体管mosfet。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率mosfet。根据用途备有小型，大功率，复合化的丰富产品规模，可满足多样的市场需求。
Image: RS1E200BN RS1E200BN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 nch 30v 68a功率mosfet_rs1e200bn rs1e200bn是适用于小型大功率封装的开关用途的中功率mosfet。
Image: RS1E180BN RS1E180BN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管(BJT) - 阵列 nch 30v 60a中功率mosfet_rs1e180bn rs1e180bn是小型大功率封装（hsop8）的低导通电阻mosfet，最适合开关用途。
Image: RS1E170GN RS1E170GN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 nch 30v 40a功率mosfet_RS1E170GN 场效应晶体管mosfet。通过采用微小工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率mosfet。根据用途备有可实现小型，高功率，复合化的丰富产品规模，可满足多样的市场需求。

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